电子行业化合物半导体系列报告之二：碳化硅，国内衬底厂商加速布局.docxVIP

投资案件 结论和投资分析意见 建议关注国产衬底厂商布局进展，关注衬底高壁垒环节的天岳先进、天科合达（未 上市）、东尼电子等，以及国内最早具备 SiC 全产业链一体化布局的三安光电。 原因及逻辑 碳化硅具有耐高温、高压等优势，渗透率提升空间大。碳化硅材料具备更高的击穿 电场强度、饱和电子漂移速率、热导性和热稳定性，更适合在高压、高频、高功率等领 域中应用，并且能实现器件小型化、轻量化。 衬底占据碳化硅器件制造成本 47%（中商产业研究院数据）。1）在制造衬底的多个工序中晶体生长是核心难点，国内衬底良率偏低。由于 SiC 晶棒生长速度慢，晶体生长对各种参数要求高、工艺复杂，同时采用主流 PVT 法导致生长过程不可见，国内衬底良率偏低。2）我们判断长晶难点在于工艺而非设备本身。天科合达、同光烁科等 自研长晶设备，天岳先进虽外购但热场设计、控制软件以及组装调试工作均由公司自行 完成并且拥有碳化硅单晶制备技术专利。3）外延处产业链中间环节，设备交付周期长。 外延设备被行业四大龙头垄断，主流 SiC 高温外延设备交付周期拉长。 衬底市场竞争格局集中，国产衬底厂商进展超预期。2020 年全球导电型碳化硅衬底市场中 CR3 约 89%，国外企业多以 IDM 模式布局全产业链，而国内企业倾向专注单个环节制造。国内衬底厂商积极扩产，多家陆续和国际大厂签订长期协议，国内衬底 良率和性能提升超预期。 有别于大众的认识 特斯拉宣布减少碳化硅用量使得市场担忧碳化硅渗透率提升进度，但我们认为碳化 硅衬底市场需求有望快速增长。1）特斯拉仍将继续采用碳化硅技术路线，我们判断可 能在电动汽车主逆变器采用SiC+IGBT 的混合封装方案，从中长期看有利于碳化硅加速渗透（从中高端向低端下探）。2）2022-2025 年，全球导电型碳化硅衬底 CAGR 达 34%。根据中商产业研究院数据数据，2022 年全球导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为 5.12 和 2.42 亿美元，预计到 2023 年市场规模将分别达到 6.84 和 2.81 亿美元。 我们认为国产衬底厂商进展超预期。2023 年 4 月，天岳先进 2022 年年报披露与博世集团签署长期协议；5 月，英飞凌宣布与天科合达和天岳先进 2 家SiC 衬底厂商签订长期协议，并预计 2 家供应量均将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。国产 SiC 衬底龙头获国际器件大厂认可，我们判断国内衬底良率和性能提升超预期。 目录 TOC \o 1-2 \h \z \u 碳化硅具有耐高温、高压等优势，渗透率提升空间大 6 纵观产业链，衬底与外延占据 70%的成本 8 衬底：晶体生长是核心难点，PVT 为主流方法 8 外延：处产业链中间环节，设备交付周期长 10 竞争格局集中，国内衬底厂商奋起直追 13 碳化硅衬底市场规模快速增长，导电型CR3 约 89% 13 国内衬底厂商加速布局 15 相关公司 17 天岳先进：半绝缘型碳化硅衬底龙头，产能逐步向导电型切换 17 天科合达：2020 年导电型衬底全球市占率达 4% 18 东尼电子：1Q23 碳化硅业务收入达 2563 万元 20 三安光电：具备SiC 全产业链一体化布局 21 风险提示 22 图表目录 图 1：第三代半导体材料特点与性能优势 7 图 2：相同规格下SiC 器件体积约为硅基器件的 1/10 7 图 3：2020 年碳化硅产业链制造成本占比（%） 8 图 4：碳化硅衬底分类 8 图 5：碳化硅衬底制作工艺流程 9 图 6：物理气相传输法生长碳化硅晶体 9 图 7：碳化硅外延工艺图 11 图 8：2020 年全球碳化硅外延片市占率（%） 11 图 9：碳化硅外研设备比较 12 图 10：全球碳化硅衬底市场规模（亿美元） 14 图 11：2020 年全球碳化硅衬底市占率（%） 14 图 12：2020 年全球导电型碳化硅衬底市占率（%） 14 图 13：2020 年全球半绝缘型碳化硅衬底市占率（%） 14 图 14：天岳先进营业收入及同比（百万元，%） 17 图 15：天岳先进归母净利润（百万元） 17 图 16：天岳先进研发支出及费用率（百万元， %） 18 图 17：天岳先进毛利率与净利率情况（%） 18 图 18：天科合达营业收入情况（百万元，%） 19 图 19：天科合达净利润情况（百万元，%） 19 图 20：天科合达地区营业收入情况（%） 19 图 21：天科合达产品销售情况（%） 19 图 22：天科合达研发支出及费用率（百万元， %） 19 图 23：天科合达毛利率与净利率情况（%） 19 表 1：第三代半导体材料禁带宽度大，耐高温、高频高功率，拥有高热导率和高击穿电