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钛酸锶钡薄膜介电效应的成因 随着雷达、卫星、通信等技术的发展，相位控制单元的使用日益广泛。微波移相器作为相控阵天线的核心部件,其性能直接决定着发射/接收组件的工作频段、响应速度、插入损耗、功率、体积等重要技术指标。传统的铁氧体移相器和半导体PIN二极管移相器由于自身的缺陷,无法满足日益发展的技术要求。采用钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,BST)铁电薄膜的移相器具有成本低、速度快、精度高、体积小等特点,还具有高的介电常数和显著的介电非线性,被认为是制作微波移相器的理想材料,成为近年国际上的一个研究热点。 BST之所以具有高的介电性,正是源于Ti4+偏离氧八面体中心的位移。根据晶格动力学理论,离子晶体的介电常数与晶格振动频率之间具有LST关系: 其中ε∞是光频介电常数,ωLO和ωTO分别为光学纵模和光学横模的频率。随着温度接近居里温度,布里渊区中心的ωTO软化(频率降低),对应氧八面体中心Ti4+的回复力减弱,显示出类似离子弛豫极化的特征,体现为介电常数增加。 在电场的作用下都会发生某种能量的损耗,其出现是由于BST薄膜内极化效应赶不上电场变化,此损耗随频率和温度的变化提供了关于驰豫过程的信息。沉积条件决定了薄膜的组分、结构及缺陷等,也就影响了薄膜内部偶极子的指向,从而影响介电损耗。 BST薄膜具有非线性效应,即介电常数强烈地依赖于外加直流偏置电场,零偏置电压下介电常数最大,随着电场增加介电常数降低,介电调谐率可表达成: 可见,BST薄膜的介电可调性来源于其本身的介电非线性。 1 影响介电性的因素 BST薄膜的介电性取决于薄膜的组分、掺杂、电极、薄膜和电极之间的界面及薄膜的厚度。 1.1 测试热性能分析 由居里-外斯定律可知,在居里温度附近介电常数会显著地增大。而BST的居里温度随Sr与Ba比值的变化而改变,所以组分会影响BST材料的介电性。 BST作为位移型铁电体,在其居里点以上50~100℃的范围内具有介电可调性,并且越接近居里点其可调性越强。由于微波移相器大多工作在常温条件下,因此将居里点调节至越接近室温,就能在工作温度下获得更强的介电可调性。然而,虽然Ba0.7Sr0.3TiO3和Ba0.6Sr0.4TiO3的居里点接近室温(约250 K),但其居里点处的介电峰比较陡,当工作温度上升时,介电常数及介电可调率下降过快,不能满足器件全天候工作对温度稳定性的要求;Ba0.5Sr0.5TiO3的居里点约为220 K,介电峰距室温约80℃,室温附近的介电常数随温度变化较缓,能够满足一定的温度稳定性的要求,在室温下处于顺电相,避免了铁电畴开关效应引发的疲劳现象,并具有高的介电常数和低的介电损耗以及有很好的可调性,可用于微波移相器。 一般情况下,由于晶界的低介电性,薄膜的介电性相较体材会显著地降低,介电-温度峰出现在很宽的温度区。对于BaTiO3和SrTiO3,这种介电性的降低完全可由软膜频率的硬化来解释。由于低温相变是由布里渊区边界声子膜的软化来驱动的,所以在TC附近,低于光学膜范围内的驰豫作用主要决定介电性的突变。此外晶粒越大,薄膜的介电常数就越大,如掺杂使薄膜的晶粒大小发生改变。 1.2 薄膜的介电行为 BST薄膜的应用,通常要与电极材料组成金属-绝缘体-金属(MIM)结构,形成BST薄膜电容器。选择不同的电极材料特别是底电极材料,将会直接决定BST薄膜的微观结构、缺陷(主要是氧空位)密度、BST-金属接触的耗尽层宽度和势垒高度,从而也决定了BST薄膜的整个介电行为。现在制备BST薄膜时通常使用金属Pt等电极材料。金属Pt具有电阻率低、功函数大、热稳定性好和化学惰性,因此目前普遍采用金属Pt作为铁电薄膜器件的底电极。 从图2可以看出,随着沉积温度的升高,BST薄膜衍射峰的位置会发生偏移。除了强的Pt衬底峰值外,在2θ=21.9°、31.6°、56.2°出现了明显的BST的特殊峰,分别对应于Ba0.5Sr0.5TiO3的(100)、(111)、(211)晶面,表明薄膜具有典型的钙钛矿结构。 1.3 薄膜厚度对介电常数和晶体运用的影响 与BST块材相比,BST薄膜与衬底和电极之间存在的低介电常数的界面扩散层的影响更为显著。当界面层厚度一定时,薄膜厚度越大,界面层的影响越小,测试得到的表观介电常数越接近薄膜实际的介电常数,这也是导致BST块材的介电常数高于相应薄膜材料的原因之一,也会导致测试的表观介电损耗增大。图3为沉积在Pt上的不同厚的BST薄膜的XRD图谱。由BST的介电常数的温度依赖性可知,越接近于居里温度,介电常数就越大。薄膜厚度越厚,其居里温度越高,接近于室温,因而在室温下测量得到的介电常数的数值应比薄膜较薄的大。可以看到随着薄膜厚度的增加,室温下的介电常数也随之增大,从而出现了BST薄膜介电常数的厚度效应。这主要是由于