磁强计测量铁硅和铁硅铝磁粉心材料饱和氯化状态时的磁通密度.docxVIP

磁强计测量铁硅和铁硅铝磁粉心材料饱和氯化状态时的磁通密度 1 磁粉心bs和tc的测量,是一个复杂的、无 磁粉心是由铁磁性粉粒和绝缘体混合而成的软磁材料。由于铁磁性颗粒很小,又被非磁性电绝缘膜物质隔开,因此,一方面可以隔绝涡流,磁导率随频率的变化也就较为稳定,适用于较高频率;另一方面由于颗粒之间的间隙效应,导致材料磁导率较低。此外,磁粉心工作在大电流条件下不易饱和,具有良好的恒导磁特性,即直流磁场对材料磁导率的影响较小。基于这些特点,磁粉心材料在光伏逆变器、开关电源、滤波器等方面具有广阔的应用。 相对于MnZn、NiZn铁氧体材料,磁粉心材料一般具有高饱和磁通密度Bs(1T)以及高居里温度TC(400℃),如何有效、简单、快速、准确地测量磁粉心的饱和磁通密度Bs及居里温度TC是一个难题,若按照铁氧体的常规测试方法来测试磁粉心的Bs和TC,会遇到以下两个方面的困难:第一,铁氧体材料一般在外磁场1194A/m(15Oe)时即可达到饱和磁化状态,而磁粉心材料则需要80kA/m(1kOe)左右的外磁场才能达到饱和磁化状态。此外,为了保证测试结果的准确性,初级线圈所采用的漆包线通过电流须小于漆包线的安全载流,以常见的尺寸为?33.0 mm×?20.1mm×10.7mm的环形磁心为例,所用直径0.38mm的漆包线安全载流5A左右,只有将磁环初级线圈匝数增加至1000匝上以上时,外加磁化场才可能达到80kA/m。若无相应的机械绕制设备而采用手工绕制的话,绕制过程易受磁环窗口面积(约300mm2)过小而弄错初级线圈匝数造成测试结果可信度的降低。第二,铁氧体居里温度一般较低(300℃),因此采用高低温烘箱配合LCR测试仪能方便地测量材料的居里温度。但是由于受漆包线使用温度以及高低温烘箱许用温度的限制,采用相同方法测试磁粉心的TC是不可行的。 针对以上实际困难,我们尝试使用振动样品磁强计(VSM)来测量磁粉心的Bs和TC的可行性。VSM是一种高灵敏度的磁矩测量仪器,它依据电磁感应原理,测量在一组探测线圈中心以固定频率和振幅作微振动的样品的磁矩。对于足够小的样品,它在探测线圈中振动所产生的感应电压与样品磁矩、振幅、振动频率成正比。在保证振幅、振动频率不变的基础上,用锁相放大器测量这一电压,即可计算出待测样品的磁矩。在实际测量中,往往采用具有已知磁化强度数值的标准样品(镍球)来进行相对测量。采用VSM来测量磁粉心的Bs和TC这种方法有两个优点:第一,测试Bs时不需要绕制初级线圈;第二,可通过测试样品磁矩随温度的变化来确定居里温度。 2 实验 2.1 磁环磁导率的测定 将铁硅粉末、铁硅铝粉末分别加入适量的粘结剂、绝缘剂、脱模剂,充分混合均匀,压制成尺寸为?33.0mm×?20.1mm×10.7mm的磁环,N2气氛中、700℃处理1h,铁硅磁环磁导率为75,铁硅铝磁环磁导率125,标记为A组、B组。最后将磁环分别吹球制成两组直径约1mm的近似球体颗粒,标记为A1、A2、A3、A4和B1、B2、B3、B4。 2.2 密度和-t分析 采用MATS-2010S型B-H分析仪分别测量A、B两组磁环(各5个样品)的B-H曲线,其中N1为1100匝,N2为20匝; 采用排水法分别测量A、B两组磁环的密度ρ,取平均值;采用AR124CN电子天平测量小样品质量m;采用HH-10型VSM测量样品A1、A2、A3和B1、B2、B3在25℃时σ-H曲线,并测量外磁场H为240 kA/m时样品A4、B4的σ-T、dσ/d T-T曲线;镍球标样质量0.016g,比饱和磁化强度52.06×10-3A·m2/kg。 3 数据处理和分析 3.1 磁粉心材料bs值的测量 图1是25℃时,采用MATS-2010S型B-H分析仪测量A、B两组磁环的典型B-H曲线。从图中可以看到,两组样品的B-H曲线过膝点后,磁通密度B增长愈来愈慢,最终均在外场H大于70 kA/m后处于技术饱和。此时尽管B值继续增加,但是B值的增加与Ms相比较小,可知A、B的Bs约为1.60T、1.06T。 图2是25℃时,采用VSM所测得的A1、A2、A3和B1、B2、B3的σ-H曲线,根据已知样品密度ρ换算成相应M-H。在使用SI单位制时,磁通密度B=μo(H+M),其中μo=4π×10-7H/m,磁场强度H和磁化强度M单位为A/m,磁通密度B单位为T。由于VSM采用开路法测量,磁化的样品表面存在磁荷,表面磁荷在样品内产生退磁场NM(N为退磁因子,与样品的具体形状有关),故样品总磁场是H-NM,测量的曲线要进行退磁因子修正,用H-NM代替H,即Bs=μo[H+(1-N)Ms]。 从图中可以看到,A组样品在外磁场H增大至520±20 kA/m范围时,其M值基本不再发生变化;B组样品在外磁场H增大至400±20 kA/m范围