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基于drvco+四倍频技术的高稳电调倍频源研制 1 低稳低相噪微波频率源+倍频功放组件 随着无线系统的工作频率向毫米波频率的延伸，频率越高，并且具有输出大、稳定、相位噪声等特点的毫米波静态频率的源越来越受到重视。目前获得毫米波固态频率源的方法主要有两种:1.直接利用FET、BJT、GUNN、IMPATT等器件产生的毫米波频率源。其中,三端器件(FET、BJT等)在毫米波频段所获得的输出功率较小,而采用两端器件(GUNN、IMPATT等)虽然能获得较大的输出功率但温漂和相噪特性均较差;2.由技术相对成熟的高稳低相噪的微波频率源+倍频功放组件来获得毫米波频率源。采用这种方法虽然其相位噪声比基准信号源恶化(20lgN)dB(N为倍频次数)、温漂为基准信号源的N倍,但由于基准信号源本身具有低的温漂和相噪特性,故倍频源仍能获得较好的温漂和相噪,能满足现代毫米波通信和雷达系统对高稳高纯谱频率源的需求。 文中采用微波DRVCO与四倍频功放组件方案获得一个具有较大输出功率的8 mm波段高稳电调倍频源。 2 dro动态特性 微波振荡器原理框图如图1所示,图2是介质谐振器稳频压控振荡器的分布参数等效电路结构图。图1中反馈网络实现电路正反馈,而谐振回路主要决定振荡器谐振频率。输出匹配网络将振荡功率尽可能大地传输到负载,以减少功率传输损耗。对于变容管调谐的微波压控振荡器,变容管便构成谐振回路的重要部分。改变变容二极管上的外加偏置电压即可改变变容二极管的电容和整个谐振回路的电容,并以此来实现电调谐,从而调整其振荡输出频率。 图2中的圆盘为介质谐振器,改变介质谐振器谐振频率的金属圆杆调谐机构如图3所示,金属杆与介质调谐之间的距离减少时,介质谐振器谐振频率将升高。 下面着重分析微波晶体管振荡器的相位噪声和频率温度稳定性。 设振荡器的相位噪声谱密度为Sue001φ(ω),工作频率ω0处的射频电流幅度为A0,低频噪声谱密度是SLF(ω),器件阻抗用-Zd(A)表示,电路阻抗用ZC(ω)表示,则相位噪声谱密度表示为: Sφ(ω)=[ωh|dΖC(ω)|2ω0+(A20/ωh)|?Ζd(A)?A|2A0A20ω2h|dΖC(ω)dω|4ω0+A20|dΖC(ω)dω|2ω0|?Ζd(A)?A|2A0sin2θ]SLS(ωn)(1) 式中 SLΚ(ωh)=?i2LF?/ΗΖ=λ(Τ)A20/ωβh(2) A为半导体器件中电流的幅值。 以上公式中〈i2LF〉表示器件低频噪声电流功率谱密度;λ(T)是与温度有关的比例因子;ωh是基带频率;θ是器件阻抗线Zd(A)与电路阻抗线ZC(ω)轨迹在(ω0,A0)处相交的交角;通过式(1)与式(2)得知振荡器的相位噪声是通过有源器件与无源电路的相互作用将器件低频噪声上变换为近载频相位噪声的。 从式(1)还可看到,为使振荡器的相位噪声最小,采用高Q的电路元件——介质谐振器就可使电路阻抗随频率的变化率dΖC(ω)dω尽可能大,且器件阻抗Zd(A)与电路阻抗ZC(ω)的轨迹线垂直正交(θ=90°),以减少由于器件线的变化引起的工作点波动。在本设计中采用高有载QL值的(TiO2-ZrO2-SnO2)材料介质谐振器和低噪声器件AlGaAs/GaAs FET,辅以优化的电路设计,获得了低相位噪声的X波段振荡器。 对DRVCO的频率温度稳定性的理论分析表明:当工作频率f与介质谐振器自谐振频率f0之差非常小时(即f≈f0),且满足振荡条件时,工作频率随温度的漂移df/fdT同DR的温度系数τf、DR同微带间耦合因子β、DR的有载QL值以及有源电路的相位随温度的漂移?φ/?T有关,可用下面公式表示 dffdΤ=τf+β+24QL?φ?Τ(3)式中β=Κ2R0/ΖQL=Q01+Κ 这里β是DR同漏极微带的耦合因子,K是DR同漏极微带的耦合系数,Z是漏极微带阻抗,R0为DR的谐振阻抗,Q0为无载品质因数。由式(3)可知,欲使DRO随温度变化漂移最小,DR的τf应选择为下面的值 τf=-β+24QL?φ?Τ(4) 通常GaAs FET及其电路的?φ/?T=-2 000～- 2 500 ppm/°C,由式(4)便可算出所需DR的温度系数τf的值。而τf可通过选择介质材料及不同的组份控制得到。所以就选用有载QL值为5 000、温度系数τf为6.3 ppm/°C的(TiO2-ZrO2-SnO2)材料介质谐振器来稳频。 3 倍频和功率放 倍频器和功放器作为倍频源的重要部件,其工作状态直接影响它的各谐波分量输出,决定了所需的四次谐波的倍频效率及其输出功率大小。由于场效应管能实现倍频和功率放大,结合毫米波单片集成电路(MMIC)具有体积小、可靠性和一致性好等优点,本设计采用Hittite公司的两个HMC283—MMIC单片分别作四倍频器和功放器。下面着重介绍FET