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多层片式压敏电阻器的现状及发展趋势 随着电子产品朝着微型化、薄型化、集中管理和多功能的方向发展，适合表面活性剂的片式器和smt得到了很大发展。由于商标原因,多层片式压敏电阻器(MLCV)在有些公司称为多层陶瓷瞬态电压抑制器(TVS)或其它名称。其特点是:体积小、通流容量大、响应速度快、电容量的选择范围大、限制电压特性良好、温度特性较好及适合SMT和易实现低压化等。另外,它的静电放电吸收能力达到甚至超过IEC61000—4—2:2000标准规定的静电放电(ESD)试验时的接触放电和空气放电4级水平(即接触放电8 kV和空气放电15 kV的ESD吸收能力)的要求。 多层片式压敏电阻器的主要应用领域为汽车电子、通讯、计算机、消费类电子产品和军用电子产品等,适用于这些产品各种电路的过电压保护和ESD保护。它在许多领域中可代替较大的表面贴装瞬态电压抑制器——齐纳二极管,用于协助各种终端产品实现电磁兼容性(EMC),故发展前景十分广阔。 根据德国EPCOS、日本松下及TDK、美国AVX及Littelfuse和韩国Amotech等公司公布的产品目录,目前多层片式压敏电阻器的商品化水平外形尺寸最小做到0201(0.6 mm×0.3 mm),压敏电压最低为2.5 V,最高为495 V,单脉冲(8/20μs)峰值电流最大可达1 000 A,能量耐量可达到3.1 J;最高电容量为22 000pF,超低电容系列产品的电容量在3 pF以下,可用在高频信号线路;多元压敏电阻阵列最多可做到8个压敏电阻器集合在一起的八元压敏电阻阵列,而且各个压敏电阻器的性能均保持在单个压敏电阻器的水平。 多层片式压敏电阻器技术在国外比较成熟;国内不少的大学、研究所及企业也在进行多层片式压敏电阻器的研究和开发[3～6],国内目前正处于发展阶段。MLCV虽然已批量生产十多年,但迄今为止,国内外还没有一个这种产品制造和应用的统一标准,这无疑给产品的制造和应用带来了一定的困难。令人欣慰的是,由河南金冠王码信息产业股份有限公司作为唯一起草单位的信息产业部多层片式压敏电阻器的系列行业标准(共三个)已于2005年6月完成征求意见稿的工作,可望于2006年完成并在我国发布和实施,相信届时会对我国MLCV的制造和应用产生推动作用。 1 技术及其发展趋势 1.1 抗esd冲击稳定性 ZnO-Bi2O3系是比较常用的一种多层片式Zn O压敏陶瓷材料,对于ESD用多层片式压敏电阻器,在以上材料配方基础上添加SiO2可提高其抗ESD冲击的稳定性。还有研究报道,在以上材料配方的基础上以水溶液形式添加0.01%(质量分数)的Al K(SO4)2·12H2O可提高MLCV的电性能,尤其是提高MLCV的非线性系数和降低其限制电压比,性能改善的原因可能是K+在晶界和Al3+在晶粒的均匀分布所致。 1.2 主要问题和解决 1.2.1 非bi因素的影响 文献研究了ZnO-Bi2O3系多层片式压敏电阻器中Pd/Ag内电极的扩散及与Bi2O3之间的反应问题,以Ag/Pd为内电极的ZnO-Bi2O3系MLCV最佳烧结温度为1 000℃。在该温度下烧结的试样,电性能较好。当烧结温度高于1 040℃时内电极金属开始明显扩散,试样电性能显著劣化。 为了解决MLCV制造工艺中铋与内电极材料钯起反应的问题,国内有些大学还开展了无铋氧化锌压敏电阻材料及其在MLCV制造中的应用的研究,Bi并非是获得高性能氧化锌压敏材料所必需的添加剂,合理采用非Bi系的添加剂,在氧化锌晶界形成双肖特基势垒,就能够产生良好的压敏特性。另外一种办法是采用Pt/Ag内电极材料,因为Pt不会与压敏陶瓷材料中的铋和其它元素发生化学反应。铋与内电极材料钯起反应的问题也可用在铋与内电极材料钯起反应的温区内采取快速升温的办法得到部分解决。 1.2.2 多层片式压敏电阻瓷体的表面处理 多层片式压敏电阻器的端电极材料分为两类:电镀的三层端电极材料(Ag/Ni/Sn)和单层端电极材料(Ag/Pd)。由于单层Ag/Pd端电极的可焊性较差且成本较高,现在发展的方向为电镀的三层端电极。但是由于MLCV的瓷体属于半导体,在电镀时容易产生金属Ni和Sn镀在全部瓷体上,即产生“爬镀”现象,而使两个端电极短路,使变阻器成为导体。 为避免爬镀现象的发生,就要对多层片式压敏电阻器的瓷体进行表面处理[10～12],表面处理后的瓷体不但易电镀,而且其防潮性能也得到了改善。多层片式压敏电阻瓷体表面处理的办法主要有三种:1)采用高分子材料在烧银后的瓷体表面涂覆一层薄的高分子绝缘层,将端电极上的高分子绝缘层除去,然后进行电镀,这些工艺需要特制的仪器设备。2)采用化学处理液的方法处理多层片式压敏电阻瓷体表面,使其瓷体表面生成一层绝缘保护层,然后进行电镀。如将烧过银的片式压敏电阻瓷体放入磷酸的过饱和溶