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激光干涉图案的研究 在许多领域，周期微纳结构显示出良好的应用前景。通常制作这种微纳结构的方法有电子束光刻、聚焦离子束刻蚀、激光干涉光刻,以及其他方法。利用电子束光刻或聚焦离子束刻蚀的方法制作微纳结构,分辨力高,无需掩膜,可产生任意形状的微纳图样。但这两种技术效率低,设备昂贵,无法满足大规模生产的要求,因此多应用于实验室的科学研究。激光干涉光刻(LIL)技术是利用激光干涉产生周期性或准周期性的光场分布,并与材料相互作用而制造出纳米结构。干涉图样可以是1维的线状结构(两光束干涉)和2维或3维的点状阵列(多光束干涉)。干涉图样可记录在光刻胶上,经刻蚀或生长、电铸等工艺转移到样品上;也可利用大功率脉冲激光器直接在样品表面烧蚀,产生微纳结构。在空气中,LIL技术制备的微纳结构的最小周期接近干涉激光波长的1/2,为提高图样的分辨力,可以选用波长更短的激光或采用浸入式光刻。因为激光良好的相干性,LIL具有大视场、大景深的特点,利用该技术有望实现低成本、高效率、大面积的微纳结构的制作。本文从多光束激光干涉的电磁理论入手,结合计算机数值模拟和相关实验结果,研究了多光束激光干涉的基本原理,分析了相干光束的偏振方向、入射方向、光束间相位差对干涉光场分布的影响。 1 多光束激光干涉光场分布的表述 考虑N个相干激光光束干涉的情形。激光光束为高斯光束,但当高斯光束的发散角和所研究的干涉区域都较小时,为简化计算,可将其近似为均匀的平面波。设第m列平面波振幅为Am,波矢为km,坐标原点处初始相位为δm,r表示样品平面上任一点P(x,y,z)的位置矢量,如图1(a)所示,则该平面波的复振幅可表示为 Em(r)=Amexp[i(km?r+δm)]=[Amx,Amy,Amz]Τexp{i[km(sinθmcosφmx+sinθmsinφmy+cosθmz)+δm]}(1)Em(r)=Amexp[i(km?r+δm)]=[Amx,Amy,Amz]Texp{i[km(sinθmcosφmx+sinθmsinφmy+cosθmz)+δm]}(1) 当N束光发生干涉时,干涉场的光强分布为相干光束复振幅之和的平方,即 Ι=|Ν∑m=1Em|2=Ν∑m=1Ν∑n=1(E*m?En)=Ν∑m=1(E*m?Em)+Ν∑m=1Ν∑n=1n≠m(AmxAnx+AmyAny+AmzAnz)exp{i[k(sinθmcosφm-sinθncosφn)x+k(sinθmsinφm-sinθnsinφn)y+k(cosθm-cosθn)z]+δm-δn}(2)I=|∑m=1NEm|2=∑m=1N∑n=1N(E?m?En)=∑m=1N(E?m?Em)+∑m=1N∑n=1n≠mN(AmxAnx+AmyAny+AmzAnz)exp{i[k(sinθmcosφm?sinθncosφn)x+k(sinθmsinφm?sinθnsinφn)y+k(cosθm?cosθn)z]+δm?δn}(2) 通常我们所关心的是垂直z轴平面上干涉光场的分布,而对特定的平面,z为一常量,因此不妨令δmn=k(cosθm-cosθn)z+δm-δn。又E*m·En=E*n·Em,故式(2)可进一步写为 Ι=Ν∑m=1(E*m?Em)+2Ν∑m=1Ν∑n=m+1Amncos[k(sinθmcosφm-sinθncosφn)x+k(sinθmsinφm-sinθnsinφn)y+δmn](3)I=∑m=1N(E?m?Em)+2∑m=1N∑n=m+1NAmncos[k(sinθmcosφm?sinθncosφn)x+k(sinθmsinφm?sinθnsinφn)y+δmn](3) 式(3)即为多光束激光干涉光场分布的表达式, 其中Amn=AmxAnx+AmyAny+AmzAnz。 式(3)中第一项,表示干涉光场中均匀分布的背景亮度;第二项是N(N-1)/2个干涉项的叠加,且每一个干涉项代表一组余弦分布的平行线条纹。而众所周知,两相干平面波干涉产生余弦分布的平行线条纹。因此,当忽略背景亮度的影响时,可将多光束激光干涉的图样分解成相应的多组双光束干涉条纹的叠加。 以三光束激光干涉为例,干涉光场的分布为 Ι1,2,3=(E*1?E1+E*2?E2+E*3?E3)+2(E*1?E2+E*1?E3+E*2?E3)(4)I1,2,3=(E?1?E1+E?2?E2+E?3?E3)+2(E?1?E2+E?1?E3+E?2?E3)(4) 而光束m和n的干涉条纹分布 Ιm,n=(E*m?Em+E*n?En)+2E*m?En(5)Im,n=(E?m?Em+E?n?En)+2E?m?En(5) 将光束1和2,光束1和3,光束2和3干涉产生的余弦平行线条纹叠加起来,其光场分布为 Ι1,2+Ι1,3+Ι2,3=2(E*1?E1+E*2?E2+E*3?