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《材料科学与工程概论》复习思考题试卷及答案

一、名词解释（每题3分，共30分）

1.晶体结构：指晶体中原子、离子或分子在三维空间的周期性排列方式，由晶格（空间点阵）和基元（重复单元）共同决定，是材料微观结构的核心特征，直接影响材料的力学、热学等性能。

2.位错：晶体中原子排列的一种线缺陷，表现为局部晶格的滑移不闭合，分为刃型位错（额外半原子面插入）和螺型位错（晶格螺旋扭曲），是材料塑性变形的主要载体，其运动难易程度决定材料的强度。

3.固溶强化：通过向基体金属中溶入溶质原子形成固溶体，溶质原子与位错发生弹性交互、化学交互或静电交互，阻碍位错运动，从而提高材料强度的强化机制，如钢中碳固溶于铁素体形成的强化。

4.玻璃化转变温度（Tg）：非晶态高分子材料从玻璃态向高弹态转变的临界温度，低于Tg时分子链段冻结，材料硬而脆；高于Tg时链段可运动，材料呈现弹性。是高分子材料使用性能的重要指标。

5.复合材料界面：复合材料中增强相（如纤维）与基体（如树脂）之间的过渡区域，厚度通常为纳米至微米级，通过机械啮合、化学键合或扩散作用实现载荷传递，界面结合强度直接影响复合材料的整体性能。

6.相图：表示材料系统中相的状态与温度、成分、压力之间关系的图形，如二元合金相图中的液相线、固相线、共晶线等，可用于分析材料凝固过程、相变规律及组织演变。

7.扩散激活能：原子在材料中发生迁移所需的最低能量，反映原子挣脱周围原子束缚的难易程度，与材料键合强度、晶体结构及温度相关，常用阿伦尼乌斯公式描述扩散系数与温度的关系（D=D?exp(-Q/RT)）。

8.二次再结晶：材料在退火过程中，少数晶粒异常长大并吞并周围小晶粒的现象，通常发生在初次再结晶完成后，由晶界迁移驱动力（如表面能差、应变能差）或杂质钉扎作用减弱引起，会导致材料性能恶化（如脆性增加）。

9.纳米材料：至少有一维尺寸在1-100nm范围内的材料，具有表面效应（比表面积大）、小尺寸效应（熔点降低、磁性变化）、量子尺寸效应（电子能级离散）等特性，如纳米颗粒、纳米线、纳米薄膜。

10.陶瓷增韧：通过引入第二相（如ZrO?相变增韧）、纤维/晶须（如SiC晶须桥联）或控制微结构（如裂纹偏转）等方法，提高陶瓷材料断裂韧性的技术，解决其本征脆性问题，拓展工程应用。

二、简答题（每题6分，共60分）

1.简述晶体与非晶体的本质区别及其在性能上的体现。

本质区别：晶体中原子（或分子）呈长程有序排列，具有周期性和对称性；非晶体仅短程有序（原子近邻排列规则），无长程周期性。

性能体现：①晶体有固定熔点（熔化时温度不变），非晶体无固定熔点（软化温度范围宽）；②晶体具有各向异性（不同晶向性能差异），非晶体各向同性；③晶体X射线衍射呈现明锐衍射峰，非晶体为弥散衍射环。

2.位错的主要类型有哪些？其运动方式有何差异？

类型：刃型位错（存在额外半原子面，位错线与滑移方向垂直）和螺型位错（晶格呈螺旋状，位错线与滑移方向平行）。

运动方式差异：①刃型位错可滑移（沿滑移面移动）和攀移（通过空位或原子扩散实现垂直于滑移面的运动，需较高温度）；②螺型位错仅能滑移（无额外半原子面，攀移无意义），且滑移面不唯一（可交滑移）。

3.影响金属材料强度的主要因素有哪些？举例说明。

主要因素：①固溶强化（如钢中C固溶于α-Fe形成间隙固溶体，阻碍位错运动）；②细晶强化（晶粒越小，晶界越多，位错运动受阻，符合Hall-Petch关系σ=σ?+kd?1/?，如铝合金通过细化晶粒提高强度）；③第二相强化（如铝合金中析出Mg?Si颗粒，位错需绕过或切过颗粒，如Orowan机制）；④加工硬化（塑性变形导致位错增殖，位错间相互交割阻碍运动，如冷拉钢丝强度提高）。

4.比较高分子材料的三种力学状态（玻璃态、高弹态、粘流态）的特点及应用场景。

玻璃态（TTg）：分子链段冻结，仅侧基、链节可运动，材料硬而脆，用于制备刚性部件（如塑料杯）；

高弹态（TgTTf）：链段可运动但整链不可，材料呈现高弹性（可逆大变形），用于橡胶（如轮胎）；

粘流态（TTf）：整链可运动，材料呈粘性流动，用于加工成型（如注塑、挤出）。

5.简述陶瓷材料的主要结合键类型及其对性能的影响。

结合键：以离子键（如MgO）和共价键（如SiC）为主，部分含金属键（如金属陶瓷）或范德华力（如云母）。

性能影响：①离子键和共价键键能高，陶瓷熔点高、硬度大、耐高温；②键的方向性和饱和性导致位错运动困难，陶瓷脆性大；③无自由电子，陶瓷通常绝缘（除半导体陶瓷如ZnO压敏电阻）；④离子键陶瓷易受极性介质腐蚀（如水侵蚀MgO）。

6.说明相图在材料制备中的应用（以二元共晶相图为例