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半导体脱毛反应及护理
一、半导体脱毛的基础原理与适用范围
（一）核心作用机制
半导体激光脱毛基于选择性光热解原理，通过特定波长
（通常为800-810nm）的激光能量穿透表皮，被毛囊中的黑
素小体选择性吸收。激光能量转化为热能后，可破坏毛囊干
细胞及毛乳头（毛发生长的关键结构），同时避免对周围组
织（如表皮、血管）的过度损伤。其关键参数包括：脉宽
（10-400ms，需匹配毛囊深度）、光斑大小（9-12mm，影响
治疗效率）、能量密度（10-40J/cm²，需根据肤色、毛发粗细
调整）。
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