CN111834338B 电容器及其形成方法、dram单元和存储器 （长鑫存储技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111834338B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号201910322689.2

(22)申请日2019.04.22

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111834338A

(43)申请公布日2020.10.27

(73)专利权人长鑫存储技术有限公司

地址230001安徽省合肥市蜀山区经济技

术开发区翠微路6号海恒大厦630室

审查员谢晶鑫

(72)发明人请求不公布姓名

(51)Int.CI.

HO1L23/64(2006.01)

HO1L21/027(2006.01)

(56)对比文件

CN209785930U,2019.12.13

权利要求书2页说明书8页附图10页

(54)发明名称

电容器及其形成方法、DRAM单元和存储器

(57)摘要

CN111834338B本发明涉及一种电容器及其形成方法、DRAM单元和存储器，所述电容器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有电接触部；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层包括：交替层叠的支撑层和牺牲层；形成贯穿所述牺牲层和支撑层且暴露出同一所述电接触部的至少两个电容孔；形成覆盖所述电容孔内壁的下电极层，所述下电极层连接所述电接触部；去除所述牺牲层；在所述下电极层的内外表面以及支撑层表面依

CN111834338B

CN111834338B权利要求书1/2页

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1.一种电容器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内形成有多个电接触部；

在所述衬底表面形成交替层叠的支撑层和牺牲层；

形成贯穿所述牺牲层和支撑层且暴露出每个所述电接触部的至少两个电容孔，形成所述至少两个电容孔的方法包括：在所述交替层叠的支撑层和牺牲层表面形成掩膜层，图形化所述掩膜层，使得与各所述电接触部上方的所述掩膜层中形成至少两个开口，沿所述开口刻蚀所述交替层叠的支撑层和牺牲层至各所述电接触部表面，形成所述电容孔；

其中，图形化所述掩膜层的方法包括：对所述掩膜层进行掺杂处理，使得所述掩膜层中形成间隔排布的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二部分具有不同的掺杂浓度，其中，各所述电接触部上方所对应的所述掩膜层中至少包括两个第一部分或两个第二部分；选择性移除各所述电接触部上方的所述掩膜层中的第一部分或第二部分，图形化所述掩膜层；

形成覆盖所述电容孔内表面的下电极层，所述下电极层连接各所述电接触部；

去除所述牺牲层；

在所述下电极层的内外表面以及支撑层表面依次形成电容介质层和上电极层。

2.根据权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，图形化所述掩膜层的方法包括：刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层内形成凹陷部，所述凹陷部位于所述电接触部上方；对所述凹陷部进行掺杂处理，使得所述凹陷部中形成间隔排布的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二部分具有不同的掺杂浓度，且所述凹陷部中至少包括两个第一部分或两个第二部分；选择性移除所述凹陷部中的第一部分或第二部分，图形化所述掩膜层。

3.根据权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，形成至少两个所述电容孔的方法包括：在所述交替层叠的支撑层和牺牲层表面形成第一掩膜层，刻蚀所述第一掩膜层，在所述第一掩膜层内形成凹陷部，所述凹陷部位于所述电接触部上方；形成覆盖所述凹陷部内表面和所述第一掩膜层表面的第二掩膜层，图形化所述第二掩膜层，在位于所述凹陷部底部的所述第二掩膜层中形成至少两个开口，沿所述开口刻蚀所述支撑层和所述牺牲层至所述电接触部表面，形成所述电容孔。

4.根据权利要求3所述的电容器的形成方法，其特征在于，图形化所述第二掩膜层的方法包括：对所述第二掩膜层进行掺杂处理，使得所述第二掩膜层中形成间隔排布的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二部分具有不同的掺杂浓度，其中，所述电接触部上方所对应的所述第二掩膜层中至少包括两个第一部分或两个第二部分；选择性移除所述第二掩膜层中的第一部分或第二部分，图形化所述第二掩膜层。

5.根据权利要求1、2或4所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述掺杂处理包括采用两次倾斜且方向相对的离子注入工艺。

6.根据权利要求5所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的倾斜角度范围为5°~45°。

7.根据权利要求2或3所述的电容器的形