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石墨烯复合材料研发工程师岗位招聘考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.单层石墨烯的厚度约为______纳米。

2.CVD法制备石墨烯常用的碳源前驱体有甲烷、______等。

3.石墨烯的理论比表面积约为______m2/g。

4.石墨烯功能化的主要目的是改善其在______中的分散性。

5.石墨烯复合材料的界面结合方式包括范德华力、共价键和______。

6.纯石墨烯的室温导电率数量级约为______S/m。

7.氧化石墨烯（GO）常用制备方法是______法。

8.还原氧化石墨烯（rGO）的常用还原方法有化学还原、热还原和______还原。

9.石墨烯复合材料在______领域可提高能量密度（如锂电池）。

10.石墨烯常见缺陷类型有Stone-Wales缺陷、空位缺陷和______。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.缺陷最少的石墨烯制备方法是？

A.机械剥离法B.CVD法C.Hummers法D.电弧放电法

2.共价键功能化石墨烯的主要优势是？

A.操作简单B.保留本征性能C.分散性显著改善D.成本低

3.石墨烯团聚的主要原因是？

A.比表面积小B.范德华力强C.导电率高D.厚度大

4.可直接观察石墨烯层数的表征手段是？

A.XRDB.Raman光谱C.SEMD.FTIR

5.GO的含氧官能团不包括？

A.羟基B.羧基C.环氧基D.氨基

6.石墨烯复合材料在柔性电子中主要利用其？

A.高导热性B.高导电性C.高透光性D.高硬度

7.适合与石墨烯复合的导电聚合物基体是？

A.聚乙烯B.聚丙烯C.聚甲基丙烯酸甲酯D.聚吡咯

8.CVD法石墨烯的基底不包括？

A.铜箔B.镍箔C.硅片D.玻璃

9.rGO与GO相比，导电率？

A.更高B.更低C.相同D.不确定

10.界面改性的核心目的是？

A.降低成本B.提高界面结合强度C.增加厚度D.减少重量

三、多项选择题（共10题，每题2分）

1.石墨烯主要制备方法包括？

A.机械剥离法B.CVD法C.Hummers法D.化学气相输运法

2.石墨烯功能化类型包括？

A.共价键功能化B.非共价键功能化C.缺陷工程D.掺杂

3.石墨烯复合材料表征技术有？

A.Raman光谱B.XPSC.TEMD.TGA

4.石墨烯复合材料应用领域包括？

A.储能B.柔性电子C.催化D.生物医药

5.界面改性方法有？

A.石墨烯功能化B.偶联剂改性C.原位聚合D.共混

6.石墨烯本征性能包括？

A.高导电率B.高导热率C.高强度D.高透光性

7.CVD法关键参数包括？

A.碳源浓度B.生长温度C.生长时间D.气体流量

8.GO还原方法包括？

A.水合肼还原B.热退火C.激光还原D.微波还原

9.缺陷对石墨烯性能的影响可能是？

A.降低导电率B.增加催化活性C.提高分散性D.降低强度

10.石墨烯复合材料成型工艺包括？

A.溶液浇铸B.熔融共混C.静电纺丝D.3D打印

四、判断题（共10题，每题2分）

1.单层石墨烯透光率约为97.7%。（）

2.GO是绝缘的。（）

3.CVD石墨烯必须转移到其他基底应用。（）

4.石墨烯比表面积越大，分散性越好。（）

5.共价键功能化破坏sp2杂化结构。（）

6.复合材料导电率随石墨烯含量线性提高。（）

7.机械剥离法适合工业化生产。（）

8.GO含氧官能团分布在边缘和基面。（）

9.石墨烯复合材料可用于轻质高强度航空材料。（）

10.石墨烯导热率比铜高。（）

五、简答题（共4题，每题5分）

1.简述石墨烯制备常用方法及优缺点。

2.简述石墨烯复合材料界面改性的主要方法。

3.简述Hummers法制备GO的原理。

4.简述石墨烯复合材料在锂电池中的应用优势。

六、讨论题（共2题，每题5分）

1.讨论如何解决石墨烯在复合材料中易团聚的问题。

2.讨论石墨烯复合材料在柔性电子领域的应用挑战及应对策略。

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答案部分

一、填空题答案

1.0.34；2.乙炔（或乙烯）；3.2630；4.聚合物基体（或溶剂）；5.氢键；6.10?；7.Hummers（改进Hummers）；8.电化学；9.储能；10.边缘缺陷

二、单项选择题答案

1.C；2.C；3.B；4.B；5.D；6.B；7.D；8.D；9.A；10.B

三、多项选择题答案

1.ABCD；2.ABCD；3.ABCD；4.ABCD；5.ABC；6.ABCD；7.ABCD；8.ABCD；9.ABCD；10.ABCD

四、判断题答案

1.√；2.√；3.×；4.×；5.√；6.×；7.×；8.√；9.√；10.√

五、简答题答案

1.石墨烯制备方法及优缺点：

①机械剥离法：缺陷少、性能优，产量极低、难工业化；②CVD法：大面积高质量，成本高、需转移；③Hummers法：产量高、易功能化，缺陷多、导电率低；④电弧放