CN1716540A 单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法 （电子科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410040114.5

[51]Int.Cl.

HO1L21/268(2006.01)

HO1L21/20(2006.01)B23K26/002006.01)

[43]公开日2006年1月4日[11]公开号CN1716540A

[22]申请日2004.7.2

[21]申请号200410040114.5

[71]申请人电子科技大学

地址610054四川省成都市建设北路二段四号

[72]发明人叶玉堂吴云峰焦世龙张雪琴赵爱英刘霖王昱琳

权利要求书1页说明书5页附图2页

[54]发明名称

单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法

[57]摘要

本发明提供的单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法，它是通过采用功率密度很高的激光束照射半导体表面需要退火的区域，在照射区将产生温度随时间的变化率很大、持续时间短的骤冷、骤热过程；将该温度骤变过程控制在合适的变化范围，就可能使半导体性能得以改善，缺陷、损伤等得以消除。它特别适用于单片集成光电二级管/前放集成电路(PDIC)制作中离子注入后消除PDIC的应力和损伤。

200410040114.5权利要求书第1/1页

2

1、一种单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法，其特征是它采用下面的步骤：

步骤1准备待退火的基片：所述基片是已经进行了光电二极管的离子注入工艺、待退火的基片；所述的基片可以仅包含一个光接收器，也可以含多个光接收器；

步骤2确定需退火的区域：即基片上集成光接收器中的光电二极管的相应区域；对于光接收器阵列，即一个基片上含多个光接收器，则分别标注出每个光接收器需退火的区域(即每个PDIC中光电二极管);

步骤3通过调整光路，实现激光对准：对于含多个光接收器的基片，根据需要进行退火的光接收器的个数，利用分束器将激光分为与光接收器的个数相等的激光束，并且调整光路分别对准多个光接收器需退火的区域；

步骤4启动激光器开关，对相应区域进行照射，实现激光局域退火；所需

激光器对相应区域进行照射时间及照射次数根据具体要求确定。

2、根据权利要求1所述的一种单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法，其特征是在步骤2中，激光只对准需要进行退火光接收器的注入区，即光接收器的光电二极管区；在步骤2中，可以同时用激光束对准同一基片上多个需要退火的区域；对于单个退火区域，可采用光束整形等方法实现均匀退火；也可以采用脉冲激光退火或连续波激光退火。

3、根据权利要求1或2所述的一种光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法，其特征是所述的激光器可以采用微米甚至亚微米焦斑半径的激光束扫描，实现计算机控制的定域退火。

200410040114.5说明书第1/5页

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单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法

技术领域

本发明属于光电子技术领域，它特别涉及激光应用技术。

背景技术

近几年来，单片OEICs(OptoelectronicsIntegratedCircuits光电集成回路，简称

OEICs)器件发展迅速，其中单片集成PDIC(Photodiode/preamplifierIntegratedCircuits,即光电二级管/前放集成电路)光接收器(以下简称单片集成光接收器或PDIC)是一种重要的单片OEICs器件，它将光电二极管和前置放大电路制作在同一芯片上，其前端是一个光电二极管，可把光信号转换为电信号；后端是前置放大电路，可把光电信号放大到所需幅度。目前，单片集成PDIC主要用于光通信、激光精确制导、光控相控阵雷达和DVD等领域。附图1是单片集成PDIC的示意图。需要注意的是，光电二极管和电路部分有互联线路。光电二极管区域的直径在微米到十微米量级。

目前PDIC制作均是使用常规微电子工艺，([1]N.Fukunagaetal.:Si-0EIC(OPIC)forOpticalPickup.IEEETransactionsonConsumerElectronics,Vol.43No.2MAY1997.

[2]T.