CN107146811B 基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN107146811B

(45)授权公告日2019.12.10

(21)申请号201710197643.3

(22)申请日2017.03.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107146811A

(43)申请公布日2017.09.08

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维石朋毫王海永郝跃艾治州马晓华张弘

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01L29/06(2006.01)

H01L29/20(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

WO2015/175915A1,2015.11.19,EP1708275A2,2006.10.04,

CN103608923A,2014.02.26,

审查员卢振宇

权利要求书2页说明书10页附图3页

(54)发明名称

基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管及其制作方法

林

林比层2

沟道层6

第m阳挡00

电流阳挡层

孔径5

漂移层2

村底1

漏极11

吸10

势垒层7

电流孔径层3

m孔径层

BCN107146811本发明公开了一种基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管，主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、电流孔径层(3)、左右两个对称的多级阶梯结构的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12),势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9),两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8),两个源极(9)之间的势垒层(7)上淀积有栅极(10),衬底(1)下面淀积有漏极(11),钝化层(12)完全包裹除在漏极底部以外所

B

CN107146811

成品率高，可用于电力电子系统。

CN107146811B权利要求书1/2页

2

1.一种基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管，包括：衬底(1)、漂移层(2)、电流孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12),势垒层(7)上淀积有栅极(10),势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9),每个源极的下方设有注入区(8),衬底(1)下面淀积有漏极(11),两个对称的电流阻挡层(4)之间形成孔径(5),钝化层(12)完全包裹在除漏极底部以外的所有区域外面，其特征在于：

所述电流孔径层(3),是由自下而上的第一孔径层(31)至第m孔径层(3m)所构成的多层结构；

所述电流阻挡层(4),是由自下而上的第一阻挡层(41)至第m阻挡层(4m)所构成的m级阶梯结构，且第一阻挡层(41)的厚度与第一孔径层(31)的厚度相同，第二阻挡层(42)的厚度与第二孔径层(32)的厚度相同，第m阻挡层(4m)的厚度与第m孔径层(3m)的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的电流孔径功率晶体管，其特征在于电流阻挡层(4)的阶梯结构的级数m是根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于2的整数。

3.根据权利要求1所述的电流孔径功率晶体管，其特征在于第一阻挡层(41)的厚度T?为1～3μm,第一阻挡层(41)的宽度S?为0.5～1μm。

4.根据权利要求1所述的电流孔径功率晶体管，其特征在于第二阻挡层(42)至第m阻挡层(4m)的厚度为Ti,宽度为Si,且自下而上满足关系式：T?≥...≥Ti≥...≥Tm,S?≤...≤Si

≤…≤Sm,T?≥T?,S?≤S?,i为整数且m≥i≥2。

5.根据权利要求1所述的电流孔径功率晶体管，其特征在于第一阻挡层(41)至第m阻挡层(4m)均采用p型掺杂。

6.一种制作基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管的方法，包括如下过程：

A.在衬底(1)上外延n型GaN半导体材料，形成漂移层(2);

B.在漂移层(2)上外延n型GaN半导体材料，形成掺杂浓度为1×101?~1×1018cm?3的第一孔径层(31);

C.在第一孔径层(31)上制作一次掩模，利用该掩模在第一孔径层内的两侧位置注入p型杂质，制作两个