CN106711210A 介质辅助支撑型纳米栅器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106711210A

(43)申请公布日2017.05.24

(21)申请号201611093121.0

(22)申请日2016.12.01

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人杨凌康慨周小伟马晓华郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/778(2006.01)

29/423(2006.01)

21/28(2006.01)

21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书8页

附图1页

(54)发明名称

介质辅助支撑型纳米栅器件及其制作方法

(57)摘要

CN106711210A本发明公开了一种纳米尺寸下T型结构栅器件及其制作方法，主要解决现有T型栅支撑性差的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4),势垒层上设有源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7),栅电极(7)上设有栅帽(8),栅电极(7)的两边设有介质辅助支撑层(9),以实现对大面积栅帽(8)的物理支撑。本发明器件通过原子层淀积high-k介质，在进一步缩小栅长的基础上，形成T型栅的支撑层，提高了器件的工作频率，同时使得栅极输入电阻和栅漏

CN106711210A

CN106711210A权利要求书1/2页

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1.介质辅助支撑型纳米栅器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4),势垒层上设有源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7),栅电极(7)上设有栅帽(8),其特征在于：在栅电极(7)的两边设有介质辅助支撑层(9),以实现对大面积栅帽(8)的物理支撑。

2.根据权利要求1所述的介质辅助支撑型纳米栅器件，其特征在于介质辅助支撑层(9)的高度为60nm-200nm。

3.根据权利要求1所述的介质辅助支撑型纳米栅器件，其特征在于介质辅助支撑层(9)的宽度为5nm-35nm。

4.根据权利要求1所述的介质辅助支撑型纳米栅器件，其特征在于栅帽(8)的宽度为700nm-200nm。

5.一种介质辅助支撑型纳米栅器件的制作方法，包括如下步骤：

1)在衬底基片上，利用MOCVD设备，依次生长成核层、缓冲层和势垒层；

2)在势垒层上采用ICP设备，刻蚀台面至缓冲层；

3)在势垒层上光刻出源电极和漏电极图形，采用电子束蒸发工艺，在源电极和漏电极图形区蒸发欧姆接触金属；

4)在势垒层涂抹光刻胶并光刻出栅极区域，而后利用ICP设备对光刻图形区域进行干法刻蚀，形成光滑的倒角区；

5)在光刻胶和刻蚀形成的倒角区上方利用ALD设备进行低温原子层Al?O?介质的淀积，形成Al?O?介质覆盖层；

6)在势垒层涂抹光刻胶并光刻出槽栅区域，利用ICP设备去除槽栅区域下方的Al?0?介质淀积层，形成槽栅；

7)采用电子束蒸发工艺，在槽栅区域蒸发栅金属层，形成栅帽层，然后采用剥离工艺去除光刻胶，完成器件的制作。

6.根据权利要求5所述的方法，其中步骤1中利用的MOCVD设备，其工艺参数如下：

成核层：低温成核温度为500-650℃,生长压力为40-100Torr,氢气流量为1000-5000sccm,氨气流量为600-3000sccm,铝源流量为4-20sccm;高温成核温度为940-1050℃,生长压力为40-100Torr,氢气流量为1000-5000sccm,氨气流量为1000-3000sccm,铝源流量为4-20sccm;

缓冲层：温度为940-1050℃,生长压力为40-100Torr,氢气流量为1000-5000sccm,氨气流量为1000-3000sccm,镓源流量为60-200sccm,铁源流量为10-200sccm;

势垒层：温度为960-1050℃,生长压力为40-100Torr,氢气流量为1000-5000sccm,氨气流量为1000-3000sccm,镓源流量为60-200sccm,铝源流量为4-50sccm。

7.根据权利要求5所述的方法，其中步骤2、步骤4和步骤6中利用的ICP设备，其工艺参数如下：

台面刻蚀：刻蚀气体为Cl?/BCl3,压力为2-20mT,功率为20W-150W,偏压为10