半导体行业SiC衬底：产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速发展.docxVIP

行业深度分析/半导体 本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。 PAGE 4 本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。 PAGE 4 第三代半导体，SiC 衬底性能优越 SiC--新一代电力电子核心材料 碳化硅属于第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。第一代半导体主要有硅和锗，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。但是难以满足高功率及高频器件需求。砷化镓是第二代半导体材料的代表，是制作半导体发光二极管和通信器件的核心材料，但砷化镓材料的禁带宽度较小、击穿电场低且具有毒性，无法在高温、高频、高功率器件领域推广。第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件。 指标参数 硅（ 指标参数 硅 （ 第一代） 砷化镓 （ 第二代） 碳化硅 （ 第三代） 氮化镓 （ 第三代） 禁带宽度 （ eV） 1.12 1.43 3.2 3.4 饱和电子漂移速率 1.0 1.0 2.0 2.5 热导率（ W·cm - 1.5 0.54 4.0 1.3 击穿电场强度 0.3 0.4 3.5 3.3 （ 107cm /s） 1·K -1） （ MV/cm） 资料来源：《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》， 碳化硅材料性能优越，下游应用广泛。碳化硅制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积，下游应用广泛。目前碳化硅半导体主要应用于以 5G 通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。 碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用。通常采用物理气相传输法（PVT 法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD 法）等生成外延片，最后制成相关器件。在 SiC 器件的产业链中，由于衬底制造工艺难度大，产业链价值量主要集中于上游衬底环节。 图 1：碳化硅衬底的产业链 资料来源：天科合达招股说明书， 碳化硅衬底可分为导电型与半绝缘型 衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣。碳化硅衬底可分为两类：一类是具有高电阻率（电阻率≥105Ω·cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为15~30mΩ·cm）的导电型碳化硅衬底。 半绝缘型衬底：指电阻率高于 105Ω〃cm 的碳化硅衬底，主要用于制造氮化镓微波射频器件，是无线通讯领域的基础性零部件。 导电型衬底：指电阻率在 15~30mΩ〃cm 的碳化硅衬底。由导电型碳化硅衬底生长出的碳化硅外延片可进一步制成功率器件，广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通等领域。 表 2：天科合达主要产品 产品种类 产品种类 产品种类 导电型 导电型 作为衬底材料，经过外延生长、器件制造、封装测试，制成碳化硅二 极管、碳化硅 MOSFET 等功率器件， 适用于高温、高压等工作环境，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天 等领域 半绝缘型 作为衬底材料，经过外延生长、器件制造、封装测试，制成HEMT 等微波射频器件，适用于高频、高温等工作环境，主要应用于 5G 通讯、卫星、雷达等领域 资料来源：天科合达招股说明书， 碳化硅衬底的尺寸演进和发展态势 碳化硅衬底的尺寸（按直径计算）主要有 2 英寸（50mm）、3 英寸（75mm）、4 英寸 （100mm）、6 英寸（150mm）、8 英寸（200mm）等规格。碳化硅衬底正在不断向大尺寸的方向发展，目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在 4 英寸及 6 英寸。在最新技术研发储备上，以行业领先者 Cree 公司的研发进程为例，Cree 公司已成功研发 8 英寸产品。 图 2：Cree 碳化硅衬底尺寸演进 资料来源：Cree 公告， 为提高生产效率并降低成本，大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。衬底尺寸越 大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。衬底的尺寸越大，边缘的浪费 就越小，有利于进一步降低芯片的成本。在半绝缘型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规 格为 4 英寸。在导电型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为 6 英寸。在 8 英寸方面， 与硅材料芯片相比，8 英寸和 6 英寸 SiC 生产的主要差别在高温工艺上，例如高温离子注入， 高温氧化，高温激活等，以及这些高温工艺所需求的硬掩模工艺等。根据中国宽禁带功率 半导体及应用产业联盟的预测，预计 2020-2025 年国内市场的需求，4 英寸逐步从 10 万片市场减少到 5 万片，6 英