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纳米压印光刻技术的研究进展 0 反渗透膜技术的研究 纳米压印光刻技术（nil）是一种操作简单、转移性能好、加工时间短、成本低的图形复制方法。采用机器原型的微复合原理代替传统的光学光刻，以降低特殊的曝光矩阵源、高精度聚焦系统、极端波长透镜系统和抗蚀剂的分辨率对光场的影响。这一方法由美国普林斯顿大学的中国科学家丹尼尔y.c.rou等人首次提出，该方法为研究和开发纳米光刻技术提供了新思路。许多著名大学和研究机构致力于研究、开发和应用纳米迫切接触光刻技术，如哈佛大学、密西根大学、斯大林、林顿实验室、圣彼得堡大学、波罗的海、韦普公司、瑞士雨伞研究所和德国雅臣工业大学。近年来, 西安交通大学大机械学院微纳米制造研究团队依托机械制造系统工程国家重点实验室, 在国家自然科学基金重大研究计划“纳米制造的基础研究”重点项目和“973”计划项目课题支持下, 于国内较早开展纳米压印技术研究, 在纳米结构成形机理、工艺开发和装备集成方面取得了一系列研究成果, 目前的研究将致力于解决高分辨率压印模版制造、模版寿命保障、图形转移缺陷控制、多层套印精度保证等核心问题。 1 压力和温度对纳米压印工艺的影响 纳米压印光刻是一种新型的纳米结构制作方法, 该工艺通过光刻胶的物理变形来实现图像的转移, 加工的尺度突破了传统光刻的工艺极限, 压印机设备工作原理如图1所示。为保证模具、基片在压印过程中均匀受热, 防止压印图案由于不均匀受热发生变形, 压印设备中设置了上下两个带加热、冷却的压印盘;为减小模具和基片的磨损, 该设备中还设有弹性缓冲垫, 同时也起到一定的自调节作用, 从而保持模具与基片平行的作用;通过连接球传递压力可以自动调节模具与基片的水平位置;为保证模具与基片平行以及压印方向与基片垂直, 在实压印机设备上安装有以单板机为控制的油压驱动自反馈校准系统;同时, 高精度的卡盘和模具与基片的自动装入系统使得模具与基片可以精确定位, 不产生任何水平方向的滑动;此设备具有自动退模系统, 可以监控退模过程中压力的变化, 并防止出现水平方向的剪切力, 这种剪切力会对压印图案造成损伤。为避免气泡在聚合物图案上产生缺陷, 压印机腔体要抽成真空。纳米压印光刻的工艺过程涉及到光刻胶在不同温度、压力下的力学特性, 如热压印过程中压力、温度及时间关系的控制规律, 如聚甲基丙烯酸甲酯 (Polymethylmethacry-late, PMMA) 在压印前应将聚合物 (PMMA) 和模具加热到聚合物 (PMMA) 玻璃转化温度 (Glass Transfer Temperature, GTT) , 此时聚合物具有很好的流动性, 而退模时温度应冷却 (GTT) 附近, 在此温度下退模可以避免对压模和聚合物薄膜的损伤, 保持压强的时间应超过最高温度的保持时间, 以保证不同部位的聚合物充分填入压模图案。现有的纳米压印光刻工艺主要包括热压印 (Hot Embossing Lithography, HEL) 、紫外纳米压印 (Ultra Violet Nanoimprint Lithography, UV-NIL) 和微接触印刷 (Micro Contact Printing, μ-CP) 。 1.1 si或sio2纳米图案 热压印 (HEL) 的工艺过程如图2所示, 在均匀涂布热塑性高分子光刻胶 (如PMMA) 的硅基板, 利用电子束直写技术 (Electron Beam Direct Writing, EBDW) 制作的具有纳米图案的Si或Si O2模版。在硅基板上的光刻胶加热到玻璃转换温度 (GTT) 以上, 将模具以一定的压力盖在硅基板上, 模具的空腔中就会填入光刻胶, 再经冷却、刻蚀后处理便可得到所需的纳米图形。由于热压印高温、高压的工作条件, 往往会产生图形尺寸的形变误差和难于脱模的现象, 要提高热压印的图形质量, 必须改变图形转移时的均匀性、降低光刻胶热的变形效应, 这项技术的代表有Nanonex、Suss Microtec以及EVG等。 1.2 保温压印技术 使用热压印技术进行三维结构压印时, 光刻胶必须经过高温、高压、冷却的相变化过程, 压印产品图案的变形现象往往会产生于脱模之后, 为解决此问题, M.Bender和M.Otto提出一种在室温、低压环境下利用紫外光硬化高分子的压印光刻技术, 其工艺过程如图3所示, 前处理与热压印类似, 其图案模版材料必须采用能使紫外线穿透的石英 (无机矿物质, 主要成分是Si O2, 常含有少量杂质成分如Al2O3、Ca O、Mg O等, 一般为半透明或不透明的乳白色晶体, 质地坚硬) 。在硅基板涂布一层低黏度、对UV感光的液态高分子光刻胶。在模版和基板对准完成后, 将模版压入光刻胶层并且照射紫外光使光刻胶发生聚合反应硬化成形, 然后脱模、进行