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电感耦合等离子体刻蚀技术 微机械系统是一门跨学科的学科，主要采用半天技术，并将微机械结构与电路结合。它具有体积小、重量轻、功耗低、成本低等优点。高深宽比沟槽是制备MEMS器件的关键步骤。由于ICP(Intemet Content Provider)刻蚀技术控制具有精度高、大面积刻蚀均匀性好、污染少等优点,在微机电系统中经常用于加工高深宽比的垂直形貌。浙江大学的Wang Tao,Yu Bin等人使用ICP刻蚀技术的基础上通过自限制的氧化方式制备出垂直堆叠的单结晶硅纳米线。University of Dayton的Lirong Sun和 Andrew Sarangan也是在ICP刻蚀的基础上制备出可用于硅微光学结构的倾斜侧壁。 1 icp刻蚀技术 在生产中刻蚀工艺主要分为湿法化学刻蚀工艺和干法刻蚀工艺两种。湿法化学刻蚀是将样品浸没在化学溶剂中,该溶剂与基底产生反应,形成可以溶解的副产品。但湿法化学腐蚀工艺较难控制,无法避免溶剂微粒的对器件的污染而导致较高的缺陷水平,而且会产生大量的化学废液。与湿法化学刻蚀相比,干法刻蚀则具有明显的优点。等离子气体的反应可以方便地开始和结束。而且,等离子对样品表面温度的微小变化不敏感。这些优点使得干法刻蚀比湿法化学刻蚀更容易重复进行。干法刻蚀技术具有较高的各向异性,这对于加工高深宽比沟槽特别重要。相比液体溶剂,干法刻蚀产生的废气更易于处理。 ICP刻蚀技术的前身是反应离子刻蚀(Reactive Ion Eeching,RIE),其刻蚀过程包括复杂的物理和化学反应。物理反应过程是反映墙体内的离子对样品表面进行轰击,打断化学键,增加表面的黏附性,同时促进表面生成非挥发性的残留物等。化学反应是刻蚀气体通过辉光放电,使腔体内的各种离子、原子和活性游离基等发生化学反应。同时,这些粒子也会和基片表面材料反应生成气体,产生刻蚀沟槽。 2 立射频功率源与反应腔室内电感线圈的连接 图1 为STS ICP system刻蚀机的基本结构图。刻蚀气体从腔室上方进入,其流量由质量流量计调节控制。系统分别由两个独立的射频功率源,一路连接到真空反应腔室外的电感线圈上,用于反应气体的电离。另一路连接到反应腔室内防止硅片的平台上,作用是调节电离的例子能量,使其达到硅片表面,达到一定的刻蚀速率和各向异性的刻蚀效果。在刻蚀过程中,关键是控制影响刻蚀与淀积的各个因素,以达到理想的刻蚀效果。腔室内使用射频电源箱控技术使离子源电源和偏压电源的相位同步,以确保粒子密度和偏压同步进行增减,提高刻蚀效率。 3 整合性材料的氟基复合膜的刻蚀过程 硅基ICP的刻蚀过程主要包括钝化和刻蚀两个步骤依次交替进行。如图2所示。 步骤1 钝化(沉积侧壁保护膜)。 ICP刻蚀时加入反应气体CF4(或C4F8),这些气体在反应腔体内电离成离子态的CF2基与活性氟基,其中CF2基于硅表面反应,形成(CF2)n高分子态钝化膜,附着在硅表面形成一层保护膜。这种保护膜在下一步的刻蚀过程中可以起到保护侧壁的作用。 沉积保护膜的反应式为 CF4(g)→2F(g)+CF2(g) nCF2(g)→(CF2)n 步骤2 刻蚀。 通入反应气体SF6,在增大氟离子浓度的同时,提高了化学性刻蚀的速率。在刻蚀过程中,附着在侧壁的(CF2)n高分子聚合物在受到非垂直离子碰撞侧壁的影响下,脱离侧壁移动,重新在更深的侧壁上附着形成聚合物薄膜。 硅刻蚀的反应式为 SF6(g)→SxFy(g)+SxF+y(g)+F-(g) (CF2)n+F-(g)→CFx(g) Si+F-(g)→SiFx(g) 4 用于cp雕刻的一般效果 4.1 周边出现刻蚀 在刻蚀SOI硅片的时候,由于顶层硅和衬底之间引入了一层氧化层,在深槽刻蚀时经常在绝缘层附近出现过刻蚀。也就是当刻蚀到停止层时,会在界面附近继续横向刻蚀,出现图3的形状,这就是所谓的Footing效应。 减小Footing效应,一般的做法是使用低频偏压刻蚀,在刻蚀到绝缘层表面时,由于刻蚀偏压较低,轰击到绝缘层的离子反弹较弱,可以减轻Footing效应。 4.2 深宽比的影响 硅的刻蚀速率随着深宽比的增加而下降,称为(Lag)效应,如图4所示。Lag效应不仅存在于不同深宽比刻蚀,固定结构刻蚀也普遍存在。一般认为Lag效应的产生与反应物和生成物输运受阻有关系。更大的深宽比会影响气流的通畅度,在导致离子到达反应表面时功率减小,刻蚀速率降低。同时侧壁会吸收更多的离子,使到达反应表面的反应离子变少。如上种种原因导致了刻蚀速率随着深宽比的增加而降低。 目前对Lag效应的研究在数值模拟以及实验中,基本都是通过改变刻蚀图形的深宽比来进行。实践中,是通过设备的刻蚀参数和改变刻蚀各过程的时间,使各个沟槽的深度处于同一水平。但仅改变图形宽度是无法获得理想的刻蚀沟槽。 4.3 气体污