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一种改进的道夫-切比雪夫加权波束形成方法
在相对成熟的控制技术中,有效的原因是心脏右端的波束形成(dolphchebashev或d)。它的特点是在指定的侧瓣高度的要求下获得最窄的主瓣。如果矩阵矩的基本矩向深度增加,并且d加权波束图对端部基元的最小激励变化非常敏感,但直线组端部的最大激励变化最容易改变。这限制了cd使用的基本元的总数,而矩阵的数量少于矩阵的影响不可避免地会影响矩阵信号的增益和主瓣的宽度。为了解决这个问题,他提出,即使矩阵中的等高侧瓣仅分布在主瓣附近的区域,并且在特定角度上的外波束中的侧瓣会减少,这将显著降低。传统的多矩阵不规则波束形成方法已经成功解决了端部激励变化敏感的问题。
1 关于契比雪夫明确的生长方程的改进
已知N个均匀分布的直线阵如图1所示, 阵元间距为d, 假设一个单频信号从θ角方向入射到该阵上, 这里θ是从垂直方向测量, 设Xi(t) 是第i个阵元的接收信号,wi为每个阵元的权值,s(t) 为各个阵元接收信号的加权后相加值, 则表示为
s(t)=Ν∑i=1wiXi(t).(1)s(t)=∑i=1NwiXi(t).(1)
当信源位于远场, 即信号到达各阵元的波认为是平面波, 式 (1) 可写成为
s(t)=X(t)Ν∑i=1wie-j2πλ(i-1)dsin?θ=X(t)Ν∑i=1wie-jk(i-1)dsin?θ.s(t)=X(t)∑i=1Nwie?j2πλ(i?1)dsin?θ=X(t)∑i=1Nwie?jk(i?1)dsin?θ.
式中:X(t) 为信号包络,k为波数.
道夫-契比雪夫加权的基本思想是利用契比雪夫多项式展开式来定义权值, 从而获得在要求的主旁瓣比下, 获得等旁瓣级.契比雪夫多项式为
Τn(x)={cos(nu)|x|≤1?cosh(nu)|x|>1.
式中:
{x=cos?u|x|≤1,x=cosh?u|x|>1.
当|x|1时, 6阶契比雪夫多项式|T6(x) |1.只要适当选取x01值, 确定一个Tn(x0) , 并取此值为主极大值的幅值, 则旁瓣值必然是在±1区间的那些极值|T6(x) |=1的各点.这样一个N元阵的响应等于 (N-1) 次的契比雪夫多项式, 就是令阵系数 (x系数) 和契比雪夫多项式系数相等.
在阵元数N不多时, DC加权能获得比较理想的波束图.随着阵元数N增加, 波束图就变得对端部阵元激励状态的微小变化很敏感.这就对阵元数有了限制, 阵元数的减小对于均匀分布的直线阵将影响阵的处理增益和波束的主瓣宽度.这时要求对DC加权进行改进.当阵元数为无穷大时, 把DC阵的电压响应变为
V(θ)={cosπ(u2-A2)1/2coshπ(A2-u2)1/2A2<u2,A2>u2.
式中:u= (L/λ) sinθ,L为基阵长度, 长为N-1;d≈Nd;θ为基阵法向量的角度;A为常数, 式cosh πA=γ与旁瓣级20lgγ有关,γ=主瓣幅值/旁瓣幅值.改进的DC波束图也具有均匀的旁瓣级, 但这些等高的旁瓣仅分布于主瓣邻近区域中.在特定的角度区域之外, 改进的DC旁瓣下降了, 这就与DC波束图不同.对长阵 (L/λ1) , 旁瓣级均匀的区域为
|(Lλ)sinθ|<ˉn;
随角增加, 旁瓣级下降的区域为
|(Lλ)sinθ|<ˉn.
式中:ˉn是一有限的整数.故±ˉn就把改进DC波束图分成2个区域:一个是包含由等高旁瓣围绕的主波瓣, 另一个是旁瓣递减的区域.
θ0=arcsin(λˉnL)≈arcsin(λˉnΝd),
此角即是2个区域的分界角.
一长阵, 在基元数给定后, 改进的DC加权阵的孔径分布是由设计要求的旁瓣 (功率) 级20lgγ(或A,A与λ的关系为cosh πA=λ) 及ˉn值所确定.在选择ˉn时, 必须避免取值过小.当旁瓣级为25 dB时,ˉn至少为3;旁瓣级为40 dB时,ˉn至少为6.ˉn值越大, 主瓣就越窄.若ˉn太大, 则会产生与没改进时的DC一样的效果.表1是对ˉn选择的参考值.
表1中,B0是DC加权时的波束图半功率束宽为
B0=2π[(arccos?hγ)2-(arccos?hγ√2)2]1/2?
σ为改进的DC加权波束束宽相对DC加权束宽展宽因子, 即
B=σB0?(2)σ=ˉn[A2+(ˉn-0.5)]1/2.(3)
由式 (2) 可知, 用改进的DC加权方法在降低端部旁瓣的同时, 波束主瓣宽度可能扩展了σ倍.因此, 为了使主瓣展宽不能太大, 展宽因子σ仅取比1大百分之几,ˉn也不能取得太小.例如表1中所列25 dB时,ˉn=5其扩展因子较1大7.7%, 若ˉn=8时扩展因子仅比1大5.5%.
而作为阵的指向性, 改进的DC束控方式的指向性为
D=(4Lλ)γ21.93Aγ2+2(ˉn-1).(4)
由式 (2) 、 (3) 和 (4
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