电子行业深度报告：景气度进入上行通道，国内厂商未来可期.docxVIP

图29：美光盈利能力 13

图30：海力士资本开支同比变化 14

图31：美光资本开支同比变化 14

图32：全球DRAM厂商份额占比 14

图33：NANDFLASH产业链构成 15

图34：全球NANDFlash厂商份额占比 16

图35：NANDFlash厂商技术进程 16

图36：2022年全球SSD控制器芯片厂商市场占有率 17

图37：2022年全球独立SSD主控供应商市场占有率 17

图38：2022年全球SSD模组厂自有品牌渠道市场占有率 17

图39：2020年eMMC全球市场份额占比 17

图40：公司产品发展历程 18

图41：江波龙营收 19

图42：江波龙归母净利润 19

图43：SMARTBrazil净利率 19

图44：力成苏州股权结构 19

图45：佰维存储营收 20

图46：佰维存储归母净利润 20

图47：佰维存储产品线 21

图48：德明利产品矩阵 21

图49：德明利营收 22

图50：德明利归母净利润 22

图51：德明利经营模式 22

图52：北京君正营收 23

图53：北京君正归母净利润 23

图54：北京君正毛利率及净利率 23

图55：北京君正期间费用率 23

图56：东芯股份发展历程 24

图57：公司近年营收 24

图58：公司近年归母净利润 24

图59：澜起科技业务概览 25

图60：各条产品线发展历程 25

图61：澜起科技营收 26

图62：澜起科技归母净利润 26

图63：聚辰股份发展历程 27

图64：聚辰股份营收 28

图65：聚辰股份归母净利润 28

表1：主要存储产品对比 5

表2：聚辰股份主要产品线及应用 27

需求：行业低点已过，存储市场逐步复苏

存储市场周期波动显著，多种下游应用推动需求增长

存储芯片品类较多，各自技术原理不同。根据断电后能否保留存储的信息，半导体储存可以分为易失性存储器（VM，VolatileMemory）和非易失性存储器（NVM，Non-volatileMemory）。易失性存储器主要分为动态随机存取存储器（DRAM，DynamicRandomAccessMemory）和静态随机存取存储器（SRAM，StaticRandomAccessMemory），其中DRAM需要在数据改变或断电前进行周期性充电，保持电势，否则会丢失数据，SRAM则不需要定期刷新。非易失性存储技术路线较多，其中FlashMemory能够快速擦写存储阵列块，分为NANDFlash和NORFlash。根据内部电子单元密度，NANDFlash分为SLC、MLC、TLC和QLC。

图1：半导体存储分类

数据来源：鲜枣课堂，

图2：NANDFlash存储颗粒架构升级示意图

数据来源：得一微招股说明书，

各类存储产品的性能及应用范围有所不同。由于存储单元的技术原理以及电路结构不同，存储产品之间差别较为明显。NANDFlash的存储阵列由存储单元通过串联方式连接而成，擦除以“页”为单位，具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点，广泛应用于固态硬盘（SSD）、手机、平板、服务器、USB驱动器和存储卡等。NORFlash的存储阵列通过各存储单元通过并联方式连接，在按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，具有芯片内执行、读取速度快的特点，应用于可穿戴设备、移动终端等。DRAM读写速度快，常用于系统硬件的运行内存，对系统指令和数据进行处理。

表1：主要存储产品对比

存储原理NANDFlash浮栅型NORFlash

存储原理

NANDFlash

浮栅型

NORFlash

浮栅型/电子俘获型

DRAM

电容充放电型

读取速度

较慢

较快

极快

擦除/写入速度

快

较慢

极快

存储容量

高（Gb/Tb）

中（Mb/Gb）

中（Mb/Gb）

擦写次数

十万级别

十万级别

-

数据来源：东芯股份招股说明书，

全球存储芯片市场规模随半导体行业景气度同步波动，且振幅较大。根据全球半导体行业和存储芯片市场规模对比数据，存储芯片市场规模和半导体行业景气度同步变化，且存储芯片振幅更大。其原因是存储芯片标准化程度较高，供给端较为集中，供需错配导致周期性明显。2021年全球半导体进入高景气周期，疫情宅经济带来消费电子、半导体产品需求暴增。2022年半导体行业进入下行周期后，存储芯片市场需求低迷，同比下降13%。2023年初全球半导体销售低迷，下半年反弹，全年半导体销售额同比下降11%，存储芯