菱面体畸变的钙钛矿结构多铁性氧化物薄膜畴界精细结构.pdfVIP

第 29卷 第 5期 电 子 显 微 学 报 Vo1．29．No．5 2010年 l0月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 2O10—1O 文章编号 ：1000-6281(2010)05—0425~5 菱面体畸变的钙钛矿结构多铁性氧化物 薄膜畴界精细结构 詹 倩 ，于 荣 ，CHUYH ，MARTINLW ，RAMESHR (1．北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083；2．清华大学材料系，北京电镜 中心，北京 100084； 3．DepartmentofMaterialsScienceandEngineering，UniversityofCalifornia，Berkeley，Colifornia94720and DepartmentofPhysics，UniversityofCalifornia，Berkeley，California94720) 摘 要 ：畴是所有铁性材料的一个共 同本质特性，畴及畴界的结构极大影响着材料性能。本文应用高分辨透射 电 子显微学和定量 电子显微学，在原子尺度定量研究了钙钛矿菱面体结构多铁性薄膜BiFeO 的 109。畴界的精细结 构 ，包括畴界附近阳离子位移及局部铁 电极化分布。结果表 明：正是 由于畴界附近原子发生微小位移 ，导致材料能 带的变化 ，带隙减小，从而在绝缘 BiFeO 中产生独特 的导电性能。这不仅为研 究铁 电极化反转和磁 电效应等科学 问题提供关键的定量结构信息 ，同时也促进相关材料的设计和性能优化 。 关键词 ：多铁 ；畴 ；微观结构 ；电子 出射波重构 中图分类号 ：TB383；TG115．215．3 文献标识码 ：A 畴是所有铁性材料的一个共同本质特性，在信 宽度与薄膜厚度 的关系等 “ 。由于铁 电、铁弹 息存储和电子 、磁、光学开关 中得到了广泛研究。采 性相的 自发应变极小 ，在所需精度范 围内很难定量 用铁电薄膜的电子 一光学器件如高密度非易失性存 测量畴壁附近的原子位移。相 比之下，定量 电子显 储器、压电热电器件等，它们的性能强烈依赖于铁电 微学的发展和应用给原子尺度铁电畴界分析带来 了 层极化反转的程度和稳定性 。而铁 电极化反转就是 重要的机遇。例如 ，四方结构 的铁 电材料如 (Pb， 靠在外加电场的作用下铁电畴的形核和生长来实现 Zr)TiO 的畴及畴界的研究在实验和理论计算上都 的 。近来铁性材料畴壁的研究引起 了人们新一 有了较大的进展 。但是 ，由于结构 的复杂性 ，菱 轮的研究热潮 。。例如 ，据理论预测磁 电耦合多 面体结构如受到人们广泛关注 的新型 “绿色”无铅 特性材料中的铁电畴壁可以是铁磁性的，即使其铁 BiFeO (BFO)的铁电畴结构始终缺乏细致 的原子尺 电畴本身是反铁磁的 ，为实现铁 电电极化对外 度结构信息。 部磁场实时响应或 自旋磁矩对外加电场进行响应 的 BiFeO 是菱面体畸变的钙钛矿结构 ，室温下呈 可控性提供了依据。所以畴界的特性 ，尤其是其结 现 G型反铁磁和铁电性能，特别是薄膜状态下呈现 构、宽度和活动性成为非常重要的参数，极大影响着 很大的自发铁 电极化特性 ” ”。与通常的四方结 材料的介电常数 ，矫顽力场和压 电常数等 ¨，。 由 构铁电体如 BaTiO 和 Ph(zr，Ti)O 相 比，具有复杂 于畴界和晶界两侧 的晶体取 向差与 晶格失配 的原 菱面体 结构 的 BiFeO ，其极化方 向是体对 角线 因，它们附近的原子排列与完好 晶格相 比，显著不 111。沿 111方向有 8个可能的铁电极化变 同，从而引起极化状态、界面应力 、成分偏析 、电子