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碳化硅行业专题分析国内衬底厂商加速布局 （报告出品方/作者：申万宏源研究，杨海晏、袁航、李天奇） 1. 碳化硅具有耐高温、高压等优势，渗透率提升空 间大 近年来，第三代半导体发展快速。由于第一代及第二代半导体材料自身的物理性能局 增加一倍，越来越无法满足用户新型领域比如新能源汽车、智能电网、5G 通信等。根据 Yole（悠乐咨 咨《全球碳化硅市场 2022 年度报告》）数据，2022 年全球第三代半导体材料碳化硅（SiC） 渗透率为 3%。 1) 第一代半导体材料以硅（Si）、锗（Ge）为代表，广为应用于扰动、低频、高功率 的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品就是用硅基材料制作的； 2) 第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表，相对硅基器件具有 高频、高速的光电性能，广为应用于光电子和微电子领域； 3) 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、氮化铝 （AlN）、金刚石（C）为代表。因具有大禁带宽度、高电导率、高热导率、高抗辐射能力 等优点，更适宜在高压、高频、高功率、高温以及高可靠性领域中应用领域，比如说射频通信、 雷达、电源管理、汽车电子、电力电子等。 与第一代半导体材料 Si 较之，碳化硅具备更高的射穿电场强度、饱和状态电子漂移速率、 热导性和热稳定性。根据艾瑞咨询数据： 1）宽禁带：高稳定性+高踢穿着电场强度。碳化硅的禁带宽度就是硅的 3 倍，并使其具有 更好的稳定性，宽禁带同时也有助于提高踢穿电场强度，并使其具有更好的耐热性和耐磨高压 性、高频性。2）热导率：散热器性能不好。SiC 热导率就是 Si 的 2-3 倍，热阻更高，更耐高温（工作结温 更高可以少于 200℃以上，音速工作结可达 600℃，而 Si 的工作音速温度为 150℃），产生的 热量更容易传输至散热器和环境中。 3）高饱和状态电子漂移速率：能量损耗更高。碳化硅的饱和状态电子漂移速率为硅的 2-3 倍， 导通电阻更高，能够大幅度降低导通损耗，同时存更高的切换频率。在 1kV 电压等级下， SiC 基单极性器件的导通电阻就是 Si 基为器件的 1/60。 碳化硅器件更高效率节能环保、更能同时同时实现系统小型化。根据罗姆官网数据，相同规格下 SiC 器 件体积约为硅基器件的 1/10。 2．纵观产业链，衬底与外延占据 70%的成本 碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件和应用领域四大环节，衬底与外延占据 70%的碳 化硅器件成本。根据中商产业研究院数据，碳化硅器件的成本构成中，衬底、外延、前段、 研发费用和其他分别比重为 47%，23%，19%，6%，5%，衬底+外延合计约 70%，就是碳 化硅产业链生产的关键组成部分。 衬底和外延层的瑕疵水平的增加、掺杂的精准掌控及掺杂的光滑性对碳化硅器件的应 用至关重要。受限于材料端的制备难度大，良率低，追加新增产能小，目前碳化硅衬底及外延层的 价值量高于硅材料。 碳化硅衬底分为导电型和半绝缘型衬底。在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层， 可以制成二极管、MOSFET 等功率器件，主要应用于新能源汽车、光伏发电等领域；在半绝 缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，可以制成 HEMT 等微波射频器件，主要应用于 5G 通在 讯、卫星等领域。 2.1 衬底：晶体生长就是核心难点，PVT 为主流方法 碳化硅衬底经多个工序，PVT 为碳化硅晶体生长的主流方法。碳化硅衬底制备目前主 要以钒碳粉、硅粉为原料制取碳化硅粉，采用物理气相传输法（PVT 法），在单晶炉中 生长变成晶体，随后经过切片、研磨、研磨、冲洗等步骤制成单晶薄片作为衬底。 晶体生长是核心难点，国内衬底良率偏低。1）SiC 晶棒生长速度慢。长度约 2cm 的 SiC 晶棒大约需要 7-10 天的生长时间（天科合达招股说明书数据），生长速度仅为 Si 晶棒 的几十分之一；2）晶体生长对各种参数要求高，工艺复杂。在晶体生长过程中需要精确控 制硅碳比、生长温度梯度等参数，并且生长过程不可见。 我们认为长晶难点在于工艺而非设备本身，目前部分碳化硅衬底厂商选择自研长 晶设备，也有部分厂商选择外购模式。 根据公司年报及招股说明书，天科合达成立沈阳分公司生产拥有自主知识产权的碳化 硅单晶生长炉，2019 年对外销售 23 台。天岳先进的碳化硅单晶生长炉主要找北方华创采 购，但热场设计、控制软件以及组装调试工作均由公司自行完成，并且拥有“碳化硅单晶 大直径、高厚度、低缺陷制备技术”专利。 根据晶升股份招股说明书，预计北方华创占国内碳化硅厂商采购份额 50%以上，晶升 股份市占率约为 27.47%-29.01%，二者占国内长晶炉超 77%。 2.2 外延：处产业链中间环节，设备交货周期长 外延就是所指在碳化硅衬底