硅中热施主的微观结构和电子显微结构.docxVIP

硅中热施主的微观结构和电子显微结构 人们已经研究了30多年的硅热施主行为，但由于硅热施主行为的复杂性，主要包括：（1）与热施主相关的级。人们利用多种方法探测过和热施主有关的能级,但热施主究竟和几个能级相连,这些能级和什么因素有关,目前仍有争议。(2)热施主的微观结构。尽管已提出的热施主的五种微观结构能分别解释热施主的一些现象,但都存在各自的弱点。(3)Ⅲ族杂质的影响。人们已证实了Ⅲ族杂质对热施主有促进作用,但Ⅲ族杂质如何促进热施主形成,对热施主各个能级影响怎样,目前仍不清楚。本文中,我们利用导纳谱、深能级瞬态谱和电阻率测量研究了硅中热施主,讨论了Ⅲ、Ⅴ族杂质对热施主的影响,并对上述问题作了初步探讨。 一、 样品处理与表面预处理 本文所用的导纳谱方法已有过理论和实验上的分析。深能级瞬态测量在DLTS谱仪上进行。实验所用样品如表1所示。样品的氧、碳含量由红外吸收光谱确定,电阻率由四探针法确定,杂质浓度根据Irvin曲线得到。严格清洗后的样品在高纯(5 N)氩气氛中进行不等时的450℃热处理,冷却后,用氢氟酸除去表面氧化层,以便得到真实的体内信息。样品经严格清除后,在真空中镀膜制成金-硅肖特基结,样品背面烧结金锑片或涂金镓合金做成欧姆接触。 1. 族杂质对热施主的促进作用 杂质元素对热施主形成的影响如图1所示。 图1(a)表明:掺硼样品B-Si83中产生的热施主比掺磷样品P-Si83中产生的热施主多;热处理初期,热施主的生成率在B-Si83中比在P-Si83中大。这和其它文献报道的Ⅲ族杂质对热施主形成有促进作用的结论一致。图1 (b)再次肯定了Ⅲ族杂质对热施主的促进作用。图1(b)表明:氧、碳浓度相近的样品Ga-Si 83和Ga-Si 84经过450℃的热处理后,含镓多的Ga-Si 83 (含镓3.4×1016原子/cm3)中比含镓少的Ga-Si84 (含镓3。0×1016原子/cm3)中热施主生成快、产生多。不同种类的Ⅲ族杂质的影响可从图1 (c)看出。图1(c)表明:氧、碳和杂质浓度相近的样品在热处理初期,热施主的生成率在掺铝样品Al-Si 83中比在掺硼样品B-Si 82中大;较长时间热处理后,氧和Ⅲ族杂质浓度稍高的B-Si 82中热施主浓度也稍高。 2. 混合cz-si的主要发热能耗 (1) b-si 因碳杂质明显阻碍热施主形成,故我们选用了碳浓度不同的掺硼样品B-Si 82和B-Si 84。 热处理对mev的影响 B-Si82中碳浓度低于1016原子/cm3,450℃24和100小时热处理后导纳谱如图2所示,分别由两个电导G/ω的峰和电容C的台阶组成(450℃48和72小时热处理后的样品也有类似导纳谱).据文献给出的导纳谱的分析方法,测出高温峰对应能级为E2(24小时)=121meV,E2(48小时)=116meV,E2(72小时)=112 meV,E2(100小时)=110meV,如图3所示,此能级位置随热处理时间增加而稍有降低的现象与文献相似。我们认为其原因可能是Pool-Frankel效应和杂质间的互作用。热施主的浓度随热处理时间增加而增加,Pool-Frankel效应引起的能级降低正比于热施主浓度的1/4次方;杂质间的互作用引起的能级降低正比于热施主浓度的1/3次方。由于在没有Pool-Frakel效应的测量技术中(如霍耳效应)也观察到了E2的降低,因此后一种效应可能为主。 低温下电容值接近零,说明这时浅能级上电子完全冻结,从而断定低温峰和浅能级相关。按文献对浅能级的处理,作出低温峰对应的ln Gs-T-1曲线,如图4(a)所示,从其斜率可得浅能级位置。图4(a)表明:100小时处理后,低温电导G/ω峰对应两个能级E3=52 meV和E4=30 meVo由于最浅能级E4补偿掉1.6×1015原子/cm3的硼之后浓度较小,故在导纳谱上和E3合为一个电导G/ω峰;24小时热处理后,低温电导G/ω峰仅对应一个能级E3,这是因为热处理时间短,产生的热施主少,E4不足以补偿受主硼因而测不出。 由于肖特基结的漏电导随温度上升而指数增加掩盖了导纳谱对更深能级的探测,我们进行了DLTS测量,测出一个更深的能级E1=280meV (见图5),其浓度随热处理时间增加而增加。 电导g/峰对应的lngs-t-1和3g4 B-Si 84中碳浓度高达1.3×1017原子/cm,450℃24和100小时热处理后导纳谱如图6所示。可以看出,高碳样品经100小时热处理后,导纳谱和低碳样品相似。多频温度扫描表明高温电导G/ω峰对应E2;低温电导G/ω峰对应的ln Gs-T-1曲线表明该峰对应E4,如图4(a)所示。由于碳的阻碍,产生的热施主少,E4的浓度不足以补偿硼的浓度,因而不能测出。24小时热处理后的样品,由于热处理时间短,热施主产生少,因而补