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一种高海拔高升比的降压型直流变换器拓扑结构 1 拓扑结构分析 高压比直观变换器广泛应用于伏热压缩器之前的几年前，当电源为电池和载荷电源时。传统的升压结构拓扑如Boost、Buck-Boost、反激变换器和推挽等升压比有限,在高输出电压情况下其电力电子器件的电压应力较高,变换器的效率较低。 为提高变换器的效率和电压增益,文献[2-16]研究了高升压比拓扑结构。在诸多升压型拓扑结构中基本上可以分为两类,见表1。表1中所列升压比均工作在连续导通(Continuous Conduction Mode,CCM)模式下,D表示开关管占空比,n表示耦合电感或变压器的二次侧与一次侧的匝数比,M为级联数,升压比为拓扑输出电压与输入电压的比值。A类拓扑主要是基于基本拓扑级联方式或者通过级联升压单元来提升电压。文献对级联型Boost拓扑结构进行了分析,并归纳出升压结构,但此类拓扑需要电容较多,这不利于提高整个系统的功率密度。文献是一类基于自举结构来实现高电压增益的直流变换器,这一类结构具有良好的可拓展性;此外以文献为代表的交叉型结构也是这类拓扑的一种实现方式。 B类拓扑中均含有耦合电感或者变压器结构,全桥和推挽变换器升压主要靠一二次匝数比来实现,反激变换器由于漏感的存在使得开关管应力较大。文献提出了Boost-Flyback拓扑结构,文献提出了改进的Boost-Flyback拓扑结构,这两种拓扑结构都是基于耦合电感结构的变换器,漏感能量在开关管断开的时候被重新利用,因此整个变换器的效率高,并且开关管的电压应力得到限制。文献在文献的基础上增加了钳位电路和辅助回路。文献提出了基于三个抽头的耦合电感升压电路,这种电路结构类似于升压单元级联结构,具有更高的升压比。文献将耦合电感作为核心结构组成升压单元与传统的电路结合,提出了一系列高升压比的直流变换器。 通过对上面各种拓扑结构的分析,本文将A类拓扑中文献提出变换器的自举结构和B类拓扑中耦合电感的结构结合,提出一种新型的单开关管高升压比直流变换器。文中第二部分分析了该拓扑结构工作原理。第三部分对稳态下拓扑的连续模式和断续模式进行了理论分析,给出了占空比损失的数学公式,对本文拓扑的升压能力进行了对比分析。第四部分按本文提出的拓扑结构设计了实验样机并进行了实验验证。 2 耦合电弧侧与电极vd1与发挥 本文提出的电路结构如图1所示。在耦合电感一次侧引入自举升压结构,通过累加自举升压电路和反激变换器输出电压可得到较高的电压传输比。在开关断开期间,耦合变压器的漏感能量可以通过能量回路被充分利用,因此电路具有较高的效率。 为方便分析,本文将耦合电感等效为如图2a所示的结构,其中Lp为耦合电感一次漏感,Ls为耦合电感二次漏感,Lm为耦合电感的励磁电感,n为理想变压器电压比(n=N2:N1)。图2a中耦合电感二次侧与二极管VD1与C1构成一个相对独立的回路,图中标定为上支路,其输出电压为UC1;由其他元件(除负载R外)构成的回路,图中标称为下支路,其输出电压为UC2。图2a拓扑结构主要有两个能量释放通路:一个是耦合电感二次侧与二极管构成的能量释放回路(Ls→VD1→C1),另一路是由Uin→Lp→Lm→Cs→VD2→C2构成的能量释放回路。 图2b为连续导通模式下本文提出拓扑结构主要器件工作波形,其中D为开关管占空比,T为开关周期,iVD2为二极管VD2电流,iVD1二极管VD1电流,ids和Uds分别是开关管VS电流和电压。工作状态有四个阶段。 (1)t0~t1:在t0时刻上支路折算至耦合电感一次电压UC1N1/N2和输入电压Uin相加,对漏感Lp充电进行充电,这个时间段是占空比损失阶段。此阶段和自举电容也已经开始充电。 (2)t1~t2:输入电压给耦合电感一次侧,在t2时刻自举电容电压等于输入电压Uin。在此时间段上支路二极管VD1和下支路二极管VD2都处于截止状态,电容C1和C2给负载提供能量。 (3)t2~t3:在t2时刻开关管VS截止,励磁电流ILm对开关管的结电容进行充电。耦合电感的一次漏感Lp在开关管漏极与源极间电压振荡形成振铃效应。 (4)t3~t4:通过两个支路释放能量,上支路通过耦合电感二次侧与二极管构成能量释放回路(N2→VD1→C1),下支路是由Uin→Lm→Cs→VD2→C2构成能量释放回路。 3 绩效工作状态分析 3.1 开关管cs耦合电容电压 图3a是开关管VS导通时能量的流通路径。输入电源给自举电容与耦合电感的一次侧输入能量,输出电压通过电容C1和C2存储的能量维持。图3b是开关管VS断开情况下,上下支路处于连续导通状态下的能量流通状态。 开关管VS导通时,由Uin-VDo-Cs-VS构成回路,稳态时自举电容电压充电至输入电压为 式中,UCs(0~DT)为开关管导通时自举电容电压。稳态时自举