CN101777568A CMOS工艺兼容栅控pn结正向注入型硅发光器件及其制作方法 （天津工业大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101777568A

(43)申请公布日2010.07.14

(21)申请号201010031358.2

(22)申请日2010.01.14

(71)申请人天津工业大学

地址300160天津市河东区成林道63号天津

工业大学

(72)发明人郭维廉牛萍娟李晓云

(74)专利代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所12201

代理人程毓英

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

27/15(2006.01)21/8249(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件及其制作方法

(57)摘要

CN101777568A本发明属于以微电子技术为基础的硅基光电子技术领域，涉及CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件及其制作方法，该种器件包括p硅衬底和n阱，在n阱中制作有发射极P+掺杂区和N阱电接触N+掺杂区；在N阱表面生长有超薄栅氧化层，在超薄栅氧化层上设置有场氧化层和多晶硅栅极；在发射极P+掺杂区和N阱电接触N掺杂区上面分别制作有阳极和阴极；所述的多晶硅栅极上制作有栅电极。本发明属于p-n结正向少子注入型发光、工作电压低、能与

CN101777568A

CN101777568A权利要求书1/1页

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1.一种与CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件，其特征在于，包括p硅衬底(11),在该衬底上制作有n阱(12),在n阱中制作有发射极P+掺杂区(110)和N阱电接触N掺杂区(13);在N阱上表面生长有3-7nm厚度的超薄栅氧化层(18),在超薄栅氧化层(18)上设置有场氧化层(14)和多晶硅栅极(16);所述的场氧化层(14)位于发射极P+掺杂区(110)和N阱电接触N掺杂区(13)上面，在发射极P+掺杂区(110)和N阱电接触N掺杂区(13)上面分别制作有阳极(19)和阴极(15);所述的多晶硅栅极(16)位于发射极P+掺杂区(110)和N阱电接触N掺杂区(13)之间区域上部的超薄栅氧化层(18)上，其间开设有引线孔，并制作有栅电极(17)。

2.一种与CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件的制作方法，采用CMOS工艺，其特征在于，按下列步骤制作：

a)在N阱(12)中利用离子注入或扩散方法制造发射极P掺杂区(110)和N阱电接触N掺杂区(13),两个掺杂区的体浓度均在8×101?cm?3以上，并同时制作MOSFET的源、漏区；

b)在N阱上表面用热氧化方法生长厚度3-7nm范围的超薄栅氧化层(18),并同时制作MOSFET的栅氧化层；

c)在超薄栅氧化层(18)上淀积多晶硅栅极(16),进行多晶硅掺杂，开出引线孔并制作栅电极(17);

d)在发射极P掺杂区(110)和N阱电接触N掺杂区(13)上部的超薄栅氧化层(18)和场氧化层(14)上开出引线孔后，制作阳极(19)和阴极(15)。

3.一种与CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件，其特征在于，包括N硅衬底(21),在该衬底上制作有P阱(22),在P阱中制造有发射极N掺杂区(210)和P阱电接触P+掺杂区(23);在N阱上表面生长有3-7nm厚度的超薄栅氧化层(28),在超薄栅氧化层(28)上设置有场氧化层(24)和多晶硅栅极(26);所述场氧化层(24)位于发射极N掺杂区(210)和P阱电接触P+掺杂区(23)上面，在发射极N掺杂区(210)和P阱电接触P掺杂区(23)上面分别制作有阳极(25)和阴极(29);所述的多晶硅栅极(26)位于发射极N掺杂区(210)和P阱电接触P+掺杂区(23)之间区域上部的超薄栅氧化层(28)上，其间开设有引线孔，并制作有栅电极(27)。

4.一种与CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件的制作方法，采用CMOS工艺，其特征在于，按下列步骤制作：

a)在P阱(22)中利用离子注入或扩散方法制造发射极N掺杂区(210)和P阱电接触P+掺杂区(23),两个掺杂区的体浓度均在8×101?cm?3以上；

b)在P阱上表面用热氧化方法生长厚度3-7Pm范围的超薄栅氧