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拓荆科技研究报告CVD设备龙头_确定性与成长性兼具 （报告出品方：长江证券） 拓荆科技：本土 PECVD 龙头，成长空间广阔 本土 PECVD 设备龙头，产品线积极拓展。拓荆科技成立于 2010 年，由中国科学院沈 阳科学仪器股份有限公司联合海外技术专家团队出资组建。公司以建立“世界领先的薄 膜设备公司”为愿景，自成立以来专注于半导体薄膜沉积设备的研发，先后四次承担国 家重大科技专项/课题，相继推出了 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 等薄膜设备产 品系列，已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。此外，公司开发 了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。目前，公司 PECVD 产品在国 内处于领先地位，也是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD 设备厂商。 公司无控股股东和实际控制人，截至 2023Q1，公司主要股东包括国家集成电路基金、 国投上海、中微公司、中科仪等。 研发驱动脱胎换骨，盈利能力持续改善 产品迈入明朗，规模快速膨胀。2022 年公司同时同时实现营收 17.1 亿元，同比增加 125.0%， 增长速度相较于前两年进一步提高，主要就是公司核心产品在下游客户产线检验进展顺利， 在国内晶圆厂复产和的背景下，销售订单大幅增加。目前 PECVD 业务仍就是公 司主要的总收入来源，2022 年在营业收入中的比重为 92%，此外 ALD 系列和 SACVD 系列产品也已经同时同时实现销售，占比分别约 2%和 5%。随着公司技术水平的提升、产品结构的 优化、一流工艺机台的面世、成本掌控及议价能力的进一步进一步增强，毛利率水平也明显有所提高， 2022 年整体毛利率为 49.3%，与国内其他设备公司较之处于领先水平。 研发资金投入持续增长，大力大力推进公司产品升级技术创新速度和产品成熟度。2019-2022 年，公司研 刊发费用始终保持着较低的增长速度，2022 年全年研发费用达致 3.79 亿元，占到至公司营收 的比重为 22.2%；公司的研发人员数量达致 334 人，占到至公司总人数比重达致 40%；公 司总计获得专利数量达致 216 项，其中发明专利 124 项，实用新型专利 91 项。 营收规模持续膨胀下费用率下降，公司盈利能力提升。2022 年公司销售费用率、管理 费用率、研发费用率及财务费用率合计为 37.2%，同比大幅减少 17.0pct，主要就是营收 规模的快速膨胀摊薄了费用率。2022 年公司归母净利润达致 3.69 亿元，同比大幅快速增长。 KMH订单充足，时程总收入存保证。截至 2023Q1，公司合约负债和存货的规模分别为 16.3 亿元和 27.2 亿元，合约负债主要为交费客户的设备销售款项，存货主要涵盖公司接到 商品，两者就是时程营收证实的保证。目前公司已与 SMIC、华虹集团、长江存储等国内 半导体领先企业形成了较均衡的合作关系，客户资源优势也确保了时程订单的持续性。 大范围股权激励落地，业绩目标凸显发展信心 2022 年公司面世限制性股票鞭策计划，计划向高级管理人员、核心技术人员及其他员 工共 513 人颁给 280 万股限制性股票，约占鞭策计划公告时公司股本总额 12,648 万股 的 2.21%。该次鞭策计划考核年度为 2022-2025 四个会计年度，以公司 2021 年营业缴 入值及 2021 年净利润值业绩基数，对各考核年度营业收入及净利润的增幅进行考核。 我们表示本次股权激励计划的覆盖面最甚广，考核期较长，可以有效率保证公司长期发展动力。 薄膜沉积：晶圆生产核心环节，国产方兴未艾 薄膜沉积就是芯片生产的核心环节之一，90nm CMOS工艺大约仍须40道薄膜沉积工序， 而在 3nm FinFET 工艺产线，则多于 100 道薄膜沉积工序，牵涉到的薄膜材料由 6 种增加 至将近 20 种。考虑到薄膜的材料和用途，通常涵盖半导体薄膜（单晶硅、多晶硅等）、介 质薄膜（SiO2、SiN、SiON 等）和金属/金属化合物薄膜（Al、Cu、TaN、TiN 等）。 薄膜沉积设备主要负责管理各个步骤中的薄膜制备，涵盖 PVD（物理气相沉积）设备/电镀 设备、CVD（化学气相沉积）设备和 ALD（原子层沉积）设备。一般来讲，相同材料类 型的薄膜所需的薄膜沉积设备有所差别，但部分薄膜比如说通用型介质材料可以采用多种方 法制挑，此时仍须综合考量设备成本以及最终的成膜质量等问题。 市场规模：全球空间宽阔，PECVD 为最轻细分领域 PVD、CVD 和 ALD 就是晶圆加工过程中常用的薄膜沉积技术。PVD（物理气相沉积）技 之术就是利用加热或受到粒子空袭时物质表面原子的喷发物等物理过程，同时同时实现物质原子从源物 质到衬底材料表面的物质搬迁，可以用做制备超薄、