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铜电镀行业专题报告提效利器_无银终局 （报告出品方/作者：国海证券，姚健、杜先康） 1、技术方案多元化 电镀应用领域广为，光伏方案多元化 电镀技术应用领域广为。电镀技术就是现代微电子生产中的关键技术，广为应用于PCB生产、ICPCB等领域，基本原理就是利用化学 电解原理，在特定金属表面镀上一层特定的金属或合金，以水平电镀为基准，阴极电镀擦与基片触碰、形成电镀体系的阴极， 阳极件设置于电解槽的电解液中。 图形化和电镀就是核心环节。光伏铜电镀技术主要工序涵盖种子层制备、图形化、电镀、后处理等四大环节，其中图形化和电 镀上就是核心环节，目前各环节均存多种技术路线。 种子层：整面种子层就是目前主流 整面种子层就是目前主流方案。种子层的主要促进作用就是提升镀层与TCO间的附着性和导电性，常用材料涵盖铜、镍、铜镍合金等， 制备方法涵盖喷发物（目前主流）、金属粉末、PECVD等，工艺路径涵盖整面种子层（目前主流）、局部种子层、并并无种子层等。局部种子层步骤简约、废液较太太少。太阳井于2018年1月申请专利，在TCO上面部分区域形成金属种子层（优选喷发物法），并 在金属种子层两侧形成图形化掩膜，该方法在保证电镀金属与TCO之间高吸附力的前提下，省去种子层颜料步骤，能够减低 对TCO的颜料促进作用，也能减少废液排放量。 种子层：并并无种子层降本优势显著 无种子层目前仍处于实验室阶段。根据迈为股份公众号，迈为股份和SunDrive自2021年起合作研发HJT电池，采用无种子 层方案，2022年9月双方联合开发的无银HJT电池转换效率攀升至26.41%，2023年6月双方联合开发的铜电镀HJT电池转换 效率攀升至26.60%，以上均为采用可量产技术的实验室数据。无种子层包括通电还原、化学镀等多种方案，能够节省设备、 材料及刻蚀成本，目前仍处于实验室阶段，量产中的拉力控制较大。 根据迈为股份专利申请书，其HJT铜制程电池（无种子层）制备流程主要包括PVD沉积ITO-ITO上制作掩 膜层-图形化开口-粗化/预浸/钯活化（暗黑环境下）-预镀-去氧化-电镀铜-退膜-化学镀锡，传统HJT铜制程电池 （有种子层）制备流程主要包括PVD沉积ITO- PVD沉积铜种子层 - ITO上制作掩膜层-图形化开口-电镀铜-退膜- 去除种子层（化学刻蚀）-化学镀锡；性能测试对比发现，传统有种子层工艺中，铜栅线电镀宽度为30.70m，然而受到 铜刻蚀中的刻蚀因子及药水表面张力等影响，铜栅线底部实际遮光线宽约47.66m，无效线宽约17m、占比超过50%， 相比，该无种子层工艺中，无效区域占比低于10%，因此除了降本、环保等潜在优势，无种子层还能缩小栅线宽度和实际光 照间的差距。 图形化：直写出光刻料率先回调 分辨率、套刻精度和产率就是光刻机的主要性能指标。核心设备就是光刻机，性能指标主要涵盖分辨率（图形搬迁的微细化 程度）、套刻精度（图形搬迁的边线准确度）和产率（图形搬迁的速度），其中分辨率轻而易举受限于投影物镜的数值孔径和 曝光光源的波长，套刻精度主要受限于对准系统的测量精度和工件台/掩模台的定位精度，产率则与光源功率、曝光场大 小、工件台STM速度等因素有关。 铜电镀产业化初期，硅片尺寸、栅线方案喜怒无常，掩膜板开发周期较长，受益图案编辑速度优势，直写出光刻产业化领先存 盼望率先回调。精度方面，光伏应用领域精度建议距低于半导体，直写出光刻与掩膜光刻均能满足用户；节奏方面，直写出光刻与掩膜 光刻均存快速方式，以满足用户光伏生产节奏市场需求；长期重点高度高度关注两者降本进度。 图形化：掩膜光刻研制快速 苏大维格投影扫描设备已搭建完成。半导体领域的主流光刻技术，根据掩膜板与基片间距可分为接触式/接近式掩膜、投影 式掩膜，其中投影式掩膜通过投影原理，在相同尺寸掩膜板的前提下获得更小比例的图像，在最小线宽、对位精度等指标 上具备优势，适用于中高端IC前道制造、先进IC后道封装等领域。光伏铜电镀领域，目前接触式/接近式掩膜、投影式掩膜 均有应用。2023年7月，苏大维格自行研发的高速低成本投影扫描光刻设备已顺利搭建完成，正在与下游客户做相关验证 工作。 图形化：油墨已变成主流 曝光质量取决于紫外光传递到感光材料的能量均匀性，因为曝光是一种紫外光能量的传递过程，所有会吸收能量的潜在介质 都是影响因素，主要是光源、镜头和感光材料。同时，栅线宽度主要取决于曝光设备和感光材料。受益于半导体光刻机发展 成熟，技术迁移至光伏应用后，光源和镜头对曝光质量的影响、曝光设备对栅线宽度的影响均相对有限，因此感光材料是铜 电镀栅线宽度和均匀性的重要影响因素。感光油墨成本优势显著，兼容多种曝光方案，现已成为铜电镀主流感光材料。光伏 油墨和PCB油墨在宏观材料维