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我国光刻与微纳米加工技术的发展与挑战 0 光刻技术的发展现状 自1958年联邦政府试验了世界上第一个平面电路以来，计算机技术已经在不到50年的时间里迅速发展，创造了人类的奇迹。与此同时，它也处于快速发展的状态，促进了整个社会各行业的进步。作为微电子技术工艺基础的微光刻与微/纳米加工技术,是人类迄今为止所能达到精度最高的加工技术。随着信息时代的到来,信息高速公路、网络技术、移动通信技术、多媒体技术的飞速发展,促进高集成度、超高速、超高频集成电路及器件研制开发的特征尺寸越来越细,加工尺寸从微米直到纳米尺度。广泛地应用于微电子、微光学和微机械等微系统工程的微制造技术,尤其是在卫星、导弹、火箭、飞船、遥感、测控、雷达、频踪、预警等航空航天、武器装备、国防军工及与国家安全相关领域中。今天,半导体制造工业作为当今信息世界的核心和物质基础,已经成为国民经济中不可或缺的重要组成部分。微光刻与微/纳米加工技术又是微电子工业中关键技术驱动者,光刻分辨率和套刻精度的提高直接导致微电子产业的持续增长。随着技术的不断进步,集成电路越来越追求小尺寸、高生产率、高集成度。半导体制造产业业内通常采用半导体集成电路的CD(特征尺寸)表征了集成电路中的最细线宽来衡量微光刻与微/纳米加工的水平,它已成为标志加工能力的主要参数指标,也就是通常提及的0.35 μm,0.25 μm,0.18 μm,0.13 μm,90 nm,65 nm,45 nm,32 nm,22 nm和16 nm等工艺技术节点。 微光刻与微/纳米加工技术所开展的科学技术研究就是研究微图形转移技术,总体来说可以归纳为图形数据处理技术、图形曝光技术和图形刻蚀技术,其主要内容包括:光刻图形数据处理及格式转换技术、集成电路和微/纳米加工的光掩模制造技术、传统的光学曝光技术、光学曝光分辨率增强技术、电子束光刻技术、抗蚀剂研制及应用技术、湿法与干法刻蚀技术、下一代光刻技术、纳米结构图形加工技术及微光刻标准化技术等。 为满足芯片加工从微米到纳米尺度的需求,进一步挖掘传统的光学光刻技术的潜力,人们从不放松掩模误差因素控制技术 (mask error factor,MEF) 和光刻分辨率增强技术(resolution enhancement technology,RET)的开发和研究。目前应用于生产的光学光刻技术的极限已进入纳米加工时代,45 nm工艺已经量产,32 nm的量产光刻技术及其他工艺设备也已经成熟,世界顶级半导体制造公司都在加紧开发22 nm CMOS以下的器件和电路,2025年前有可能突破10 nm工艺节点。微/纳米CMOS器件和微/纳米加工工艺技术仍将是21世纪半导体科学技术发展的主流技术。然而,由于设备的成本剧增和技术难度的加大使光学光刻技术创造分辨率奇迹的势头趋向饱和,光刻技术面临着严重的挑战,为此人们在受益于光学光刻分辨率提高技术的开发和研究所带来的丰硕回报的同时,加紧后光学光刻技术的开发与研究,即寻找有望接替当前光刻技术主导地位的下一代光刻技术(next generation lithography technology,NGL),同时也积极进行纳米制造技术的探索研究。目前我国也正在继续开展基于193 nm光源光刻技术的65 nm技术节点以及亚30 nm和22 nm以下的集成电路基础工艺技术研究,同时也不放松下一代光刻技术的研究与开发以及纳米制造加工技术的探索。 当今世界各行各业都离不开信息科学,信息科学离不开计算机技术,计算机技术的发展离不开微电子技术,微电子技术工艺基础是微光刻技术,微光刻技术一次又一次突破分辨率极限,使微电子技术得以创造了如此伟大的人间奇迹。为创造这个奇迹立下汗马功劳的是光学光刻技术,光学光刻技术能够一次又一次突破分辨率极限得益于光学曝光分辨率增强技术等光的波前工程。光刻技术和相关集成电路工艺和装备的不断进步,使得集成电路制造技术的极限不断被打破,摩尔定律继续在发挥作用。为协调世界各大公司和研究机构IC工艺研究和设备研制的进展,满足IC工艺技术水平发展的需要,SIA从1992年开始研究并发布半导体技术发展路线(Road MAP),揭示IC工艺技术水平今后按照摩尔定律的发展趋势和技术路线。值得注意的是,每两年调整一次的Road MAP反映出集成电路工艺技术的实际发展在加速、在提前。例如1980年左右曾经有人预言:光刻线宽不能小于1 μm;1989年曾经有预言:到1997年光刻技术将走到尽头;1994年也曾经有比较乐观的长期预测:2007年线宽达到0.1 μm(保守的预计为0.5 μm),这些预测都被光刻技术神话般进步的步伐远远抛在后头。事实上,摩尔定律并不是一个物理定律,而是一种预言,一张时间表,它鞭策半导体产业界不断进步,并努力去实现它。从根本上讲,摩尔定律是一种产业自