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- 2026-01-23 发布于山东
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石墨烯导热膜工艺工程师岗位招聘考试试卷及答案
试题部分
一、填空题(共10题,每题1分)
1.石墨烯导热膜的核心性能指标是______。
2.CVD法制备石墨烯常用碳源气体有甲烷、______等。
3.CVD沉积石墨烯典型温度范围是______℃。
4.辊压设备可提高石墨烯膜的______和层间结合力。
5.热导率国际单位是______。
6.氧化石墨烯还原后,______含量降低可提升热导率。
7.影响石墨烯层间热传递的关键是______。
8.石墨烯导热膜在消费电子中主要用于______。
9.CVD设备核心系统含加热、气体控制和______。
10.膜厚度通常通过______工艺调控。
二、单项选择题(共10题,每题2分)
1.适合大规模生产的石墨烯导热膜制备方法是?
A.机械剥离B.CVD法C.液相剥离D.氧化还原
2.石墨烯理论热导率最高可达______W/(m·K)。
A.5000B.3000C.1000D.500
3.辊压时提高温度的主要作用是?
A.降硬度B.促层间扩散C.增厚度D.减缺陷
4.对CVD石墨烯质量影响最大的前驱体是?
A.氮气B.氢气C.甲烷D.氩气
5.CVD中真空度的主要作用是?
A.防氧化B.提沉积速度C.降成本D.减噪音
6.显著降低热导率的缺陷是?
A.晶界B.单空位C.边缘缺陷D.以上都是
7.石墨烯膜比铜箔的优势是?
A.成本低B.热导率高C.柔韧性好D.B+C
8.氧化还原法不包含的步骤是?
A.氧化插层B.超声剥离C.CVD沉积D.化学还原
9.工艺优化核心目标是?
A.提产量B.降成本C.保一致性D.以上都是
10.安全防护重点不包括?
A.高温烫伤B.易燃气体泄漏C.化学品腐蚀D.电磁辐射
三、多项选择题(共10题,每题2分,多选错选不得分)
1.影响热导率的因素有?
A.层数B.晶界密度C.层间接触D.前驱体纯度
2.常用制备工艺含?
A.CVDB.氧化还原C.液相剥离D.机械剥离
3.CVD关键参数有?
A.沉积温度B.气体流量C.真空度D.沉积时间
4.应用领域含?
A.消费电子B.新能源汽车C.航空航天D.LED散热
5.辊压作用含?
A.提密度B.改善层间结合C.降厚度D.增孔隙
6.氧化石墨烯还原方法含?
A.热还原B.水合肼还原C.电化学还原D.光还原
7.CVD设备核心组成含?
A.加热炉B.气体管路C.真空系统D.冷却装置
8.质量检测指标含?
A.热导率B.厚度均匀性C.平整度D.电阻率
9.需管控的气体含?
A.氢气B.甲烷C.氩气D.氮气
10.影响生长均匀性的因素含?
A.衬底温度均匀性B.气体分布C.真空度稳定D.沉积时间
四、判断题(共10题,每题2分,√/×)
1.CVD石墨烯纯度高于氧化还原法。()
2.热导率随层数增加持续上升。()
3.辊压仅降厚度,不改善热导率。()
4.甲烷是CVD常用碳源。()
5.真空度对生长无显著影响。()
6.表面涂覆可提高耐腐蚀性。()
7.液相剥离适合大规模生产。()
8.氧含量越高热导率越高。()
9.实时监控是批量一致性关键。()
10.石墨烯膜热导率低于铜箔。()
五、简答题(共4题,每题5分)
1.简述CVD法制备石墨烯导热膜的核心步骤。
2.影响石墨烯导热膜热导率的主要因素有哪些?
3.辊压工艺对膜性能的作用是什么?
4.生产中常见质量缺陷及解决思路?
六、讨论题(共2题,每题5分)
1.如何优化CVD工艺参数提高批量生产一致性?
2.对比氧化还原法和CVD法的优缺点及应用场景选择?
答案部分
一、填空题答案
1.热导率
2.乙炔(或乙烯)
3.800-1100
4.密度
5.W/(m·K)
6.氧(O)
7.层间接触面积
8.芯片散热
9.真空系统
10.辊压
二、单项选择题答案
1.B2.A3.B4.C5.A6.D7.D8.C9.D10.D
三、多项选择题答案
1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABCD5.ABC6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.AB10.ABCD
四、判断题答案
1.√2.×3.×4.√5.×6.√7.×8.×9.√10.×
五、简答题答案
1.核心步骤:①衬底预处理(铜箔清洗、退火);②真空下通入碳源(甲烷);③控温800-1100℃沉积;④PMMA辅助转移石墨烯;⑤辊压、掺杂等后处理得导热膜。
2.因素:①石墨烯质量(晶界、缺陷、层数);②层间接触状态;③膜密度(孔隙率);④后处理(辊压、还原程度);⑤杂质残留(氧、金属离子)。
3.作用:①提高密度,减少声子散射;②改善层间接触,增强热传递;③调控厚度均匀性;④降低表面粗糙度,提升贴合性。
4.缺陷及解决:①热导率不均→优化CVD温度均匀性、辊压压力;②厚度偏差→调控沉积时间、辊压参数;③层间剥离→提高辊压
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